[实用新型]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：

半导体结构层，所述半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个所述感光像素区间隔开的沟槽隔离结构；

所述感光像素区内设有感光元件，所述沟槽隔离结构内设有第一电容极板和第二电容极板，所述第一电容极板和所述第二电容极板共同形成电容；

复位晶体管及转换增益控制晶体管，所述电容电性连接于所述转换增益控制晶体管和所述复位晶体管之间。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电容极板包括依次连接的第一极板部、中间弯折部及第二极板部，其中，所述第一极板部与所述第二极板部相对设置，所述第二电容极板设置于所述第一极板部与所述第二极板部之间。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电容极板的纵截面形状包括“V”字形或“U”字形。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述沟槽隔离结构在所述半导体结构层表面的投影的形状与所述电容的在所述半导体结构层表面的投影的形状相同；或所述沟槽隔离结构的在所述半导体结构层表面的投影的形状为网格状，所述沟槽隔离结构内设有多个所述电容。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电容在所述半导体结构层表面的投影的形状包括直线形、“T”字形、倒“T”字形及“十”字形中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一电容极板和所述第二电容极板其中之一与所述转换增益控制晶体管和复位晶体管电性连接，所述第一电容极板和所述第二电容极板其中之另一接地或接可变电压。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括设置在所述半导体结构层上的电路连接层，所述电路连接层中设有导电部，其中，所述第二电容极板通过所述导电部与所述转换增益控制晶体管和所述复位晶体管电性连接。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括传输晶体管、浮动扩散区域、源极跟随晶体管以及选择晶体管；

所述传输晶体管连接于所述感光元件和所述浮动扩散区域，所述传输晶体管用于将所述感光元件的电信号转移至所述浮动扩散区域，所述源极跟随晶体管和所述复位晶体管均与所述浮动扩散区域电性连接，所述选择晶体管与所述源极跟随晶体管电性连接。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述转换增益控制晶体管和所述复位晶体管设于两行所述感光像素区之间并沿着行方向排列；和/或，所述源极跟随晶体管和所述选择晶体管设于两列所述感光像素区之间并沿着列方向排列。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，每个所述浮动扩散区域与相邻两个所述传输晶体管的栅极电性连接；和/或，每个所述源极跟随晶体管的栅极与相邻两个所述浮动扩散区域电性连接。

11.根据权利要求1-10中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括光学结构层，所述沟槽隔离结构包括相对应的第一反射结构和第二反射结构，其中，所述第一反射结构位于所述光学结构层与所述第二反射结构之间，所述第一电容极板和所述第二电容极板设于第二反射结构内。

12.根据权利要求1-10中任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括设置在所述半导体结构层相对两侧的电路连接层和光学结构层，所述沟槽隔离结构包括相互对应的反射结构和吸光结构，所述反射结构位于所述沟槽隔离结构靠近所述光学结构层的一端并用于反射光线，所述吸光结构位于所述沟槽隔离结构靠近所述电路连接层的一端并用于吸收光线，所述第一电容极板和所述第二电容极板设于吸光结构内。