[实用新型]一种一维光子晶体滤波器有效
| 申请号： | 202122095215.4 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN216354680U | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 袁光耀;万根苗;余观夏;沈瑜;王浩东 | 申请（专利权）人： | 南京林业大学 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 南京联卓知识产权代理有限公司 32597 | 代理人： | 袁慧 |
| 地址： | 210037 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光子 晶体滤波器 | ||
【权利要求书】：
1.一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，包括A、B、F三种材料层，其中A层和B层为光子晶体材料，F层为缺陷层材料，所述一维光子晶体滤波器的结构组成为[ABA]nF[ABA]m。
2.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的A层为二氧化硅层。
3.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的B层为钇铁石榴石层。
4.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的F层的材质为银。
5.根据权利要求1或2所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的A层的介电常数为2.07。
6.根据权利要求1或3所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的B层的介电常数为6.25，磁光参数为0.06。
7.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的A层和B层的厚度分别为200nm和80nm。
8.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，所述的F层的厚度为60～80nm。
9.根据权利要求1所述的一种一维光子晶体滤波器，其特征在于，n和m代表一维光子晶体的周期数，n和m在5～12之间选取。
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