[实用新型]一种温度控制器有效

专利信息
申请号: 202122100377.2 申请日: 2021-09-01
公开(公告)号: CN215987046U 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 唐徽艳;李观鸿;梁锦星;陈灿;李世林 申请(专利权)人: 意力(广州)电子科技有限公司
主分类号: G05D23/19 分类号: G05D23/19
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 季承
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 温度 控制器
【权利要求书】:

1.一种温度控制器,其特征在于,包括控制单元和继电器,所述控制单元具有I/O1口和I/O2口,所述继电器的引脚2和引脚9连通,所述引脚2接地,所述引脚9连接所述I/O1口,所述继电器的引脚10和引脚1之间连接四个达林顿管,分别为Q101、Q102、Q103和Q104,四个所述达林顿管之间连接制冷片,形成桥接电路;所述I/O2口连接所述继电器的引脚5,所述引脚5能够分别与引脚1或引脚10连接,当所述I/O2口与所述引脚10连接,所述引脚1悬空,所述Q102和所述Q104截止;当所述I/O2口为输出高电平时,所述Q101和所述Q103导通,正向对所述制冷片通电,为制冷模式,当所述I/O2口为输出低电平时,所述Q101和所述Q103截止,所述制冷片处于待机模式;反之,当所述I/O2口与所述引脚1连接,所述引脚10悬空,所述Q101和所述Q103截止,当所述I/O2口为输出高电平时,所述Q102和所述Q104导通,反向对所述制冷片通电,为制热模式,当所述I/O2口为输出低电平时,所述Q102和所述Q104截止,所述制冷片处于待机模式。

2.根据权利要求1所述的温度控制器,其特征在于,所述Q102和所述Q103均为两个PNP型三极管构成的所述达林顿管,所述Q101和所述Q104均为两个NPN型三极管构成的所述达林顿管,所述制冷片的一端连接在所述Q101和所述Q102的集电极之间的节点上,另一端连接在所述Q103和所述Q104的集电极之间的节点上。

3.根据权利要求1所述的温度控制器,其特征在于,所述桥接电路中,所述Q101的基极和所述Q103的基极均连接所述继电器的所述引脚10,所述Q101的集电极与所述Q102的集电极连接,所述Q101的发射极与所述Q104的发射极连接且均接地,所述Q104的集电极与所述Q103的集电极连接,所述Q104的基极与所述Q102的基极均连接所述继电器的所述引脚1,所述Q102和所述Q103 的发射极连接且连接电源VCC。

4.根据权利要求1所述的温度控制器,其特征在于,所述继电器还包括显示电路,所述显示电路的两端分别连接所述继电器的所述引脚9和地之间,所述显示电路包括发光二极管D103、电阻R113和二极管D104,所述发光二极管D103和所述电阻R113串联后与所述二极管D104并联,所述二极管D104的阳极接地,所述发光二极管D103的阴极接地。

5.根据权利要求3所述的温度控制器,其特征在于,所述I/O1口与所述引脚9之间还包括电阻R116、电阻R115、电阻R114和三极管D105,所述电阻R114连接在所述三极管D105的基极和发射极之间,所述三极管D105的发射极接5V电源端,所述三极管D105的集电极连接所述引脚9,所述电阻R115和所述电阻R116串联在所述三极管D105的基极和所述I/O1口之间。

6.根据权利要求5所述的温度控制器,其特征在于,所述I/O2口与所述继电器的所述引脚5之间串联电阻R117;所述继电器的所述引脚1与所述Q104的基极之间串联电阻R112和三极管D102,所述三极管D102的基极通过电阻R111接地,所述三极管D102发射极连接所述Q104的基极并通过电阻R110接地,所述三极管D102的集电极通过电阻R108连接所述Q102的基极,所述Q102的基极与所述电源VCC之间设置电阻R106;所述Q103的基极与所述电源VCC之间设置电阻R107,所述继电器的所述引脚10与所述Q101的基极之间串联电阻R101和三极管D101,所述三极管D101的基极通过电阻R102接地,所述三极管D101的发射极连接所述Q101的基极并通过电阻R103接地,所述三极管D101的集电极通过电阻R104连接所述Q103的基极,所述制冷片的两端分别串联电阻R105和电阻R109并接地。

7.根据权利要求1所述的温度控制器,其特征在于,所述控制单元为ARM 处理器或单片机。

8.根据权利要求6所述的温度控制器,其特征在于,还包括电源电路,所述电源电路提供所述电源VCC和5V电源端所需电源电压。

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