[实用新型]等离子体刻蚀设备及其导流装置

说明书

本实用新型涉及一种等离子体刻蚀设备及其导流装置。所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口和出气口的反应室，所述反应室内设有晶舟，所述导流装置包括：挡板，设置于所述反应室内并朝向所述进气口；罩体，连接在所述挡板上并向所述出气口延伸，所述罩体在从所述进气口到所述出气口的方向上与所述晶舟相对设置，所述罩体平行于所述挡板的截面面积沿远离所述挡板的方向逐渐增大；以及容纳腔，由所述罩体和所述晶舟限定出空间；其中，所述挡板具有连通所述容纳腔内外的第一进气孔，所述罩体具有连通所述容纳腔内外的第二进气孔，所述第一进气孔的中心线与所述第二进气孔的中心线不平行。本申请可以解决刻蚀均一性较差，影响刻蚀效果的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体处理领域，尤其涉及一种等离子体刻蚀设备及其导流装置。

背景技术

等离子体刻蚀(也称干法刻蚀)是集成电路、芯片制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到待刻蚀样片表面。

传统技术中，等离子体刻蚀设备的反应室具有相对设置的进气口和出气口，承载待刻蚀样片的晶舟设置在进气口和出气口之间。刻蚀气体从进气口进入到反应室内，经过晶舟从出气口排出反应室。刻蚀气体经过晶舟时，可以与晶舟上的待刻蚀样片反应，对待刻蚀样片进行等离子体刻蚀。

然而，待刻蚀样片的刻蚀均一性较差。因此，如何改善刻蚀效果是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供等离子体刻蚀设备及其导流装置，旨在解决刻蚀均一性较差，影响刻蚀效果的问题。

一种等离子体刻蚀设备的导流装置，所述等离子体刻蚀设备包括具有进气口和出气口的反应室，所述反应室内设有晶舟，所述导流装置包括：

挡板，设置于所述反应室内并朝向所述进气口；

罩体，连接在所述挡板上并向所述出气口延伸，所述罩体在从所述进气口到所述出气口的方向上与所述晶舟相对设置，所述罩体平行于所述挡板的截面面积沿远离所述挡板的方向逐渐增大；以及

容纳腔，由所述罩体和所述晶舟限定出空间；

其中，所述挡板具有连通所述容纳腔内外的第一进气孔，所述罩体具有连通所述容纳腔内外的第二进气孔，所述第一进气孔的中心线与所述第二进气孔的中心线不平行。

上述导流装置，挡板设置于反应室内并朝向进气口，从进气口进入反应室内的刻蚀气体受到挡板的阻挡，向挡板的边缘流动。罩体连接在挡板上并向出气口延伸，且罩体平行于挡板的截面面积沿挡板的方向逐渐增大，流向挡板边缘的刻蚀气体可以到达罩体的各个截面边缘。罩体在从进气口到出气口的方向上与晶舟相对设置，容纳腔由罩体和晶舟限定出空间，晶舟承载的待刻蚀样片位于容纳腔内。挡板具有连通容纳腔内外的第一进气孔，有一部分刻蚀气体通过第一进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。罩体具有连通容纳腔内的第二进气孔，还有一部分刻蚀气体通过第二进气孔进入容纳腔，与晶舟承载的待刻蚀样品的表面接触并发生反应。第一进气孔的中心线与第二进气孔的中心线不平行，通过第一进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向与通过第二进气孔进入容纳腔的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，无法形成层流区，反应消耗的等离子体可以得到其它区域的补充，待刻蚀样片的刻蚀比较均匀，刻蚀效果得到提高。

可选地，所述第一进气孔呈阵列分布，同一行所述第一进气孔的中心线平行，相邻两行所述第一进气孔的中心线不平行。

同一行第一进气孔的中心线平行，通过同一行的第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向相同，有利于刻蚀气体稳定流向待刻蚀样片。相邻两行第一进气孔的中心线不平行，通过相邻两行的第一进气孔进入反应室内的刻蚀气体的流动方向不同，流动方向不同的刻蚀气体之间相互混掺，有利于进一步破坏层流区的形成，提高待刻蚀样片的刻蚀均一性。

可选地，与同一行相邻的两行所述第一进气孔的中心线平行。