[实用新型]一种提高MIM电容布线资源的版图结构

权利要求书

1.一种提高MIM电容布线资源的版图结构，包括下电极层(1)，其特征在于：所述下电极层(1)的顶部设置有介质层(2)，所述介质层(2)上沿单纵向或单横向规则排列有多组通孔(3)，且介质层(2)上设置有走线区(4)，所述通孔(3)的顶部覆盖有上电极层(5)，所述上电极层(5)的延伸方向与通孔(3)的排列方向相同、且通过通孔(3)与介质层(2)连通。

2.根据权利要求1所述的一种提高MIM电容布线资源的版图结构，其特征在于：所述通孔(3)纵向排列有四组，所述上电极层(5)与走线区(4)平行设置。

3.根据权利要求1所述的一种提高MIM电容布线资源的版图结构，其特征在于：所述通孔(3)为横向排列有五组，所述上电极层(5)与走线区(4)平行设置。

4.根据权利要求1所述的一种提高MIM电容布线资源的版图结构，其特征在于：所述通孔(3)横向排列有两组，所述走线区(4)呈U型结构,所述通孔(3)设置在走线区(4)的开口内侧。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种提高MIM电容布线资源的版图结构，其特征在于：所述走线区(4)包括至少一组线区(401)，两组以上所述线区(401)能够设置在上电极层(5)的两侧或边侧。