[实用新型]微机电结构与晶圆、麦克风和终端有效
申请号: | 202122119073.0 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN215647355U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 孟燕子;荣根兰;孙恺;胡维 | 申请(专利权)人: | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/04 | 分类号: | H04R19/04;B81B7/02 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 杨思雨 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 结构 麦克风 终端 | ||
1.一种微机电结构,其特征在于,包括:
衬底,具有腔体;
第一支撑部,位于所述衬底上;
第一功能层,位于所述第一支撑部上;
第二支撑部,位于所述第一功能层上;
第二功能层,位于所述第二支撑部上;
第三支撑部,位于所述第二功能层上;以及
第三功能层,位于所述第三支撑部上,
其中,所述第一支撑部、所述第二支撑部与所述第三支撑部均具有靠近所述腔体的中轴线的内侧壁,所述腔体的中轴线垂直于所述第一功能层,所述第一功能层与所述第三功能层为振膜和背板中的一种,所述第二功能层为所述振膜和所述背板中的另一种,
所述第一功能层具有主下沉部,所述第一功能层的主下沉部沿所述第一支撑部的内侧壁延伸至所述衬底上,
所述第二功能层具有主下沉部,所述第二功能层的主下沉部沿所述第二支撑部的内侧壁延伸至所述第一功能层上,
所述第三功能层具有主下沉部,所述第三功能层的主下沉部沿所述第三支撑部的内侧壁延伸至所述第二功能层上。
2.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,所述背板包括上绝缘层、下绝缘层以及导电层,
其中,部分所述导电层夹在所述上绝缘层与所述下绝缘层之间,部分所述导电层作为背板的主下沉部并贯穿所述下绝缘层。
3.根据权利要求1所述的微机电结构,其特征在于,所述第一功能层还具有副下沉部,贯穿所述第一支撑部延伸至所述衬底上,并且与所述第一功能层的主下沉部分隔,
所述第二功能层还具有副下沉部,贯穿所述第二支撑部延伸至所述第一功能层上,并且与所述第二功能层的主下沉部分隔,
所述第三功能层还具有副下沉部,贯穿所述第三支撑部延伸至所述第二功能层上,并且与所述第三功能层的主下沉部分隔。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微机电结构,其特征在于,所述振膜还具有位于支撑部上的主体部,
其中,所述振膜的主体部与所述振膜的主下沉部构成的顶角呈圆角。
5.根据权利要求1至3任一项所述的微机电结构,其特征在于,所述背板的主下沉部与所述振膜均为多晶硅。
6.根据权利要求1至3任一项所述的微机电结构,其特征在于,所述第一功能层、所述第二功能层以及所述第三功能层的主下沉部在所述衬底上的正投影相互错开或重合。
7.根据权利要求6所述的微机电结构,其特征在于,在所述第一功能层、所述第二功能层以及所述第三功能层的主下沉部在所述衬底上的正投影相互错开的情况下,
所述第一支撑部朝所述腔体的中轴线的方向凸出于所述第二支撑部的内侧壁,所述第二支撑部朝所述腔体的中轴线的方向凸出于所述第三支撑部的内侧壁;或者,所述第三支撑部朝所述腔体的中轴线的方向凸出于所述第二支撑部的内侧壁,所述第二支撑部朝所述腔体的中轴线的方向凸出于所述第一支撑部的内侧壁。
8.一种晶圆,其特征在于,包括多个呈阵列排布的如权利要求1至7任一项所述的微机电结构。
9.一种麦克风,包括如权利要求1-7任一项所述的微机电结构。
10.一种终端,包括如权利要求9所述的麦克风。
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