[实用新型]半导体设备

权利要求书

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：

半导体本体；

钝化层的第一锚固元件，其突出到所述半导体本体的第一表面中，所述钝化层在所述半导体本体的所述第一表面上延伸并且突出到所述半导体本体和所述第一表面中的第一腔体中，并且所述第一锚固元件包括：

第一部分，在所述半导体本体中在横切于所述第一表面的第一方向上与所述第一表面相距第一距离处，并且所述第一部分具有在横切于所述第一方向的第二方向上的第一尺寸；以及

第二部分，与所述第一部分重叠，在所述半导体本体中在所述第一方向上从所述第一表面延伸到所述第一部分，并且所述第二部分具有第二尺寸，所述第二尺寸在所述第二方向上小于所述第一尺寸，所述第二部分比所述第一部分更接近所述第一表面，

其中所述第一锚固元件将所述钝化层固定到所述半导体本体。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：至少一个第三注入区，在所述半导体本体中并且在所述第一方向上与所述第一表面相距第二距离处，第一注入区和第二注入区在所述第一方向上被插置在所述至少一个第三注入区与所述第一表面之间，并且所述第一注入区与所述至少一个第三注入区接触，所述至少一个第三注入区具有第三尺寸，所述第三尺寸在所述第二方向上大于所述第一尺寸和所述第二尺寸。

3.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述第一锚固元件是在所述半导体本体的所述第一表面处的环形类型，并且所述第一锚固元件限定封闭的多边形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，还包括：所述钝化层的至少一个第二锚固元件，在所述第一表面处的所述半导体本体中的至少第二腔体中突出，所述至少一个第二锚固元件将所述钝化层固定到所述半导体本体，并且所述至少一个第二锚固元件包括：

第三部分，在所述半导体本体中在所述第一方向上与所述第一表面相距第二距离处，并且所述第三部分具有所述第一尺寸；以及

第四部分，与所述第三部分重叠，在所述半导体本体中从所述第一表面延伸到所述第三部分，并且所述第四部分具有所述第二尺寸，以及

其中所述第一锚固元件和所述至少一个第二锚固元件在所述半导体本体的所述第一表面处在所述第二方向上由第三距离彼此间隔开。

5.一种半导体设备，其特征在于，包括：

半导体本体，包括碳化硅；以及

钝化层，在所述半导体本体的第一表面上方延伸，并且具有第一锚固元件，所述第一锚固元件在所述第一表面处突出到所述半导体本体中的第一腔体中，所述第一锚固元件将所述钝化层固定到所述半导体本体，

所述第一锚固元件包括：

第一部分，在所述半导体本体中在横切于所述第一表面的第一方向上与所述第一表面相距第一距离处，并且所述第一部分具有最大第一尺寸，所述最大第一尺寸在横切于所述第一方向的第二方向上；以及

第二部分，与所述第一部分重叠，在所述半导体本体中从所述第一表面延伸到所述第一部分，并且所述第二部分具有第二最大尺寸，所述第二最大尺寸在第二方向上并且小于所述第一尺寸，所述第二部分比所述第一部分更接近所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于：

所述第一腔体被所述半导体本体的壁部界定，并且具有与所述锚固元件的形状互补的形状；以及

所述锚固元件通过互锁被固定在所述腔体处的所述半导体本体中。

7.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体本体包括：

碳化硅衬底，具有第一导电性；以及

碳化硅漂移层，在所述衬底上方延伸，包括所述第一表面，并且具有所述第一导电性，所述第一表面(52a)与所述衬底相对。