[实用新型]一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件

权利要求书

1.一种高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，所述功率半导体器件的芯片设有有源区，在有源区的外围设有终端区，所述有源区包括第一导电类型衬底（1），在所述第一导电类型衬底（1）上方设有第一导电类型外延层（2），在所述第一导电类型外延层（2）的表面设置有若干沟槽（3），相邻沟槽（3）之间的第一导电类型外延层（2）的表面设有第二导电类型体区（10），在所述第二导电类型体区（10）的表面设有第一导电类型源区（11），在沟槽（3）与第一导电类型源区（11）的上方设有第二类绝缘介质（12），在所述第二类绝缘介质（12）的上方设有源极金属（13），所述源极金属（13）通过通孔（14）与第一导电类型源区（11）、第二导电类型体区（10）欧姆接触，其特征在于，在所述功率半导体器件的俯视平面上，在所述有源区内至少设有一块高雪崩耐量区，所述高雪崩耐量区与有源区的不同在于：在第一导电类型外延层（2）的底部设有第一导电类型阱区（4），在所述第二导电类型体区（10）的表面未设置第一导电类型源区（11）。

2.根据权利要求1中所述的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，其特征在于，在所述沟槽（3）的下半段设置有第一类导电多晶硅（5），上半段设有第二类导电多晶硅（8）；

所述第一类导电多晶硅（5）与第二类导电多晶硅（8）通过第一类绝缘介质（7）隔离；

所述第一类导电多晶硅（5）通过场氧层（6）与第一导电类型外延层（2）隔离；

所述第二类导电多晶硅（8）通过栅氧层（9）与第一导电类型外延层（2）隔离。

3.根据权利要求2中所述的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，其特征在于，所述第一类导电多晶硅（5）接源极金属（13）的电位，第二类导电多晶硅（8）接栅极金属（15）的电位。

4.根据权利要求2所述的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，其特征在于，所述场氧层（6）、栅氧层（9）、第一类绝缘介质（7）及第二类绝缘介质（12）均由二氧化硅或氮化硅制成。

5.根据权利要求1中所述的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型阱区（4）内的第一导电类型杂质的掺杂浓度高于第一导电类型外延层（2）。

6.根据权利要求1-5之一所述的高雪崩耐量高可靠性的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件为N型功率半导体器件或P型功率半导体器件；

当所述功率半导体器件为N型功率半导体器件时，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；

当所述功率半导体器件为P型功率半导体器件时，第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。