[实用新型]低纯铌-高纯铌混合制备超导腔

权利要求书

1.一种低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，超导腔的腔体发热最严重的区域在强磁场区，此区域采用高纯铌板材或棒材，而在其他区域采用低纯铌板材或棒材。

2.根据权利要求1所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述超导腔包括：

外导体(1)，其为中空结构，所述外导体(1)的第一端固定在底板(5)上，在靠近所述外导体(1)的第一端处开设有沿其轴向对称设置的两槽孔，所述槽孔内装配有鼻锥(9)，所述鼻锥(9)上装配有束流管道(10)；

内导体(2)，其亦为中空结构，设置于所述外导体(1)的空腔中，所述内导体(2)的第一端装配有漂移管(8)，所述漂移管(8)与所述束流管道(10)位于同一中心轴线上。

3.根据权利要求2所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述超导腔为四分之一波长腔，所述内导体(2)为高纯铌腔体。

4.根据权利要求3所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述外导体(1)为低纯铌腔体，所述鼻锥(9)为低纯铌鼻锥，所述束流管道(10)为低纯铌束流管道，所述漂移管(8)为低纯铌漂移管。

5.根据权利要求4所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述外导体(1)和所述内导体(2)的第二端装配有端盖(3)，二者通过所述端盖(3)连接，所述端盖(3)上设置有清洗口(4)，用于对所述外导体(1)和所述内导体(2)进行清洗，所述端盖(3)为高纯铌端盖，所述清洗口(4)为高纯铌清洗口。

6.根据权利要求5所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述底板(5)上设置有功率耦合口(6)，所述外导体(1)上设置有信号提取端口(11)，用于收集所述外导体(1)和所述内导体(2)内的信号，所述功率耦合口(6)为低纯铌耦合口，所述信号提取端口(11)为低纯铌端口。

7.根据权利要求6所述的低纯铌-高纯铌混合制备超导腔，其特征在于，所述底板(5)上设置有加强筋(7)，用于提高所述底板(5)的机械强度，所述底板(5)为低纯铌底板，所述加强筋(7)为低纯铌加强筋。