[实用新型]一种MOSFET、IGBT封装集成结构

说明书

本实用新型公开了一种MOSFET、IGBT封装集成结构，包括双向齐纳二极管、MOSFET或者IGBT、TVS二极管，其中双向齐纳二极管并联于MOSFET的GS极或者IGBT的GE极之间，TVS二极管并联于MOSFET的DS极或者IGBT的CE极之间，TVS二极管为单向瞬态电压抑制二极管，其负极与MOSFET的D极或者IGBT的C极相连，本实用新型能够使MOSFET、IGBT产品栅极耐压能力，抗电压冲击能力增强，并且不容易发生ESD和EAS失效。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种MOSFET、IGBT封装集成结构。

背景技术

随着市场对电源的需求向小型化发展，尤其是智能移动终端对电源轻小型化需求更为明显，要求电源PCB上器件集成度高，功能全，空间占用小，MOSFET、IGBT这两种芯片是电源PCB上重要的组成器件，传统的封装结构由于保护结构不完善，会导致MOSFET、IGBT产品的栅极耐电压冲击能力差，容易发生ESD和EAS失效等问题。

实用新型内容

为克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种MOSFET、IGBT封装集成结构，使MOSFET、IGBT产品栅极耐压能力，抗电压冲击能力增强。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种MOSFET、IGBT封装集成结构，包括双向齐纳二极管、MOSFET或者IGBT、TVS二极管，所述双向齐纳二极管并联于MOSFET的GS极或者IGBT的GE极之间，所述TVS二极管并联于MOSFET的DS极或者IGBT的CE极之间。

优选地，所述TVS二极管为单向瞬态电压抑制二极管，其负极与MOSFET的D极或者IGBT的C极相连。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过在封装功率器件中，集成封装1-2个二极管，此二极管可以使用TVS二极管或者齐纳二极管，使MOSFET、IGBT产品栅极耐压能力，抗电压冲击能力增强。并且不容易发生ESD和EAS失效，此结构可以应用于插件、贴片功率器件产品结构改进设计，可以很好的满足市场对功率器件发展趋势的要求，降低客户生产成本，市场应用前景好。

附图说明

图1为本实用新型中MOSFET产品的封装连接结构示意图；

图2为本实用新型中IGBT产品的封装连接结构示意图；

图3为实施例1的示意图；

图4为实施例2的示意图；

图5为实施例3的示意图；

图中所示附图标记为：1-双向齐纳二极管、2-TVS二极管、3-MOSFET、4-IGBT、5-铝引线、6-铜框架、7-DBC覆铜板。

具体实施方式

以下结合附图对本设计方案进行详细说明。

如图1-图2所示，一种MOSFET、IGBT封装集成结构，包括双向齐纳二极管1、MOSFET3或者IGBT 4、TVS二极管2，其中双向齐纳二极管1并联于MOSFET 3的GS极或者IGBT 4的GE极之间，TVS二极管2并联于MOSFET 3的DS极或者IGBT 4的CE极之间。TVS二极管2为单向瞬态电压抑制二极管，其负极与MOSFET 3的D极或者IGBT 4的C极相连。

实施例1

如图3所示，各元器件固定于铜框架6上，双向齐纳二极管1安装在TO封装的管脚散热片处，并联在MOSFET 3的GS极之间，TVS二极管2并联在MOSFET 3的DS极之间，各器件之间通过铝引线5相连。此时实现的功能为MOSFET 3的栅极抗ESD能力显著增强。漏极抗EAS能力显著增强。

实施例2