[实用新型]一种抗回返半导体激光器有效

专利信息
申请号: 202122205158.0 申请日: 2021-09-13
公开(公告)号: CN215732668U 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 马永坤;李军;凌勇;吕艳钊;席道明;陈云 申请(专利权)人: 江苏天元激光科技有限公司
主分类号: H01S5/02253 分类号: H01S5/02253;H01S5/0232;H01S5/024
代理公司: 镇江北宸星专利代理事务所(普通合伙) 32522 代理人: 王玲
地址: 212300 江苏省镇江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 回返 半导体激光器
【权利要求书】:

1.一种抗回返半导体激光器,包括COS阵列(1)、准直透镜阵列(2)、反射镜(31)阵列(3)、聚焦透镜(4)、反射片(5)和壳体(6),所述COS阵列(1)用于产生激光;准直透镜阵列(2)设置在所述COS阵列(1)的出光方向上;反射镜(31)阵列(3)呈预设角度倾斜放置在所述准直透镜阵列(2)的出光方向上;聚焦透镜(4)设置在所述反射镜(31)阵列(3)的出光方向上并位于壳体(6)的一端;其特征在于,所述壳体(6)内部位于聚焦透镜(4)的一侧设有回返光收集腔(7),所述反射片(5)呈预设角度倾斜放置在聚焦透镜(4)入光一端,用于将反向传输的激光反射到回返光收集腔(7)中并通过漫反射在回返光收集腔(7)侧壁上形成热量而耗散。

2.如权利要求1所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述回返光收集腔(7)呈三角形状,且返光收集腔一端开设有矩形结构的入光口(71),所述入光口(71)的位置与反射片(5)输出的激光位置相对应。

3.如权利要求2所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述回返光收集腔(7)内壁为粗糙面设计。

4.如权利要求1所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述反射片(5)镀有高透过率膜层和高反射率膜层。

5.如权利要求1所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述COS阵列(1)包括至少一个COS元件(11)和至少一个热沉(12),所述准直透镜阵列(2)包括至少一个快轴准直透镜(21)和慢轴准直透镜(22),所述反射镜(31)阵列(3)包括至少一个反射镜(31)。

6.如权利要求5所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述COS阵列(1)、准直透镜阵列(2)、反射镜(31)阵列(3)均为两组并呈错位分布设置在壳体(6)两侧,两组COS阵列(1)输出两组不同方向的激光,两组不同方向的激光分别通过两组反射镜(31)阵列(3)后输出不同出光方向的激光,且激光器还包括偏振合束器(10)和反射装置(9),所述偏振合束器用于将其中一组反射镜(31)阵列(3)输出的激光经过反射片(5)输入至聚焦透镜(4),所述反射装置位于偏振合束器一侧并用于将另一组反射镜(31)阵列(3)输出的激光输入至偏振合束器,再通过偏振合束器经过反射片(5)输入至聚焦透镜(4)。

7.如权利要求1所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述壳体(6)一端还设有光纤(8),所述光纤(8)的端面设置在所述聚焦透镜(4)的出光方向的焦点上。

8.如权利要求3所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述回返光收集腔(7)内壁粗糙面结构为波浪形凸起结构的粗糙面。

9.如权利要求3所述的一种抗回返半导体激光器,其特征在于,所述回返光收集腔(7)内壁粗糙面结构为三角形凸起结构的粗糙面。

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