[实用新型]一种基于GaAs衬底的低功耗50~4000MHz低噪放芯片

权利要求书

1.一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：包括陶瓷基板和芯片本体，所述芯片本体通过导电胶粘接于所述陶瓷基板上；

所述陶瓷基板上设置有第一隔直电容、滤波电容、扼流电感、射频输入焊盘和射频输出焊盘，射频输入信号依次通过第一隔直电容和射频输入焊盘后输入至芯片本体的射频输入端，芯片本体输出的射频输出信号通过射频输出焊盘输出，电源输入信号依次通过滤波电容、扼流电感、射频输出焊盘后输入至芯片本体的电源输入端。

2.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述芯片本体为二级放大结构。

3.根据权利要求2所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述芯片本体包括射频输入端和射频输出端；

所述射频输入端通过第一微带线MLine1与第一微带T形结MTee1的第一端连接，第一微带T形结MTee1的第二端依次通过第二微带线MLine2、第一晶体管Transistor1与第二微带T形结MTee2的第一端连接，第一微带T形结MTee1的第三端依次通过电阻R1、第三微带线MLine3与第二微带T形结MTee2的第二端连接；

第二微带T形结MTee2的第三端通过第五微带线MLine5与第三微带T形结MTee3的第一端连接，第三微带T形结MTee3的第二端依次通过第六微带线MLine6、第二晶体管Transistor2、第九微带线MLine9与第四微带T形结MTee4的第一端连接，第三微带T形结MTee3的第三端依次通过电阻R2、第七微带线MLine7与第四微带T形结MTee4的第二端连接；

第四微带T形结MTee4的第三端通过第十微带线MLine10与射频输出端连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述第一晶体管Transistor1的接地端通过第四微带线MLine4接地，所述第二晶体管Transistor2的接地端通过第八微带线MLine8接地。

5.根据权利要求3所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述芯片本体还包括第一静电屏蔽装置ESD1和第二静电屏蔽装置ESD2，所述第一静电屏蔽装置ESD1并联于所述射频输入端，所述第二静电屏蔽装置ESD2并联于所述射频输出端。

6.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述滤波电容为三个并联在电源输入信号输入端的接地电容。

7.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述陶瓷基板上设置有第二隔直电容，芯片本体的射频输出端依次通过射频输出焊盘和第二隔直电容输出射频输出信号。

8.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述陶瓷基板和芯片本体通过QFN2*2封装在一起。

9.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述电源输入端输入+3.3V的偏置电压。

10.根据权利要求1所述的一种基于GaAs衬底的低功耗50～4000MHz低噪放芯片，其特征在于：所述芯片本体的大小为1.2mm×0.6mm。