[实用新型]一种高稳定性单晶硅压差传感器

权利要求书

1.一种高稳定性单晶硅压差传感器，包括第一传感器壳体(1)，其特征在于：所述第一传感器壳体(1)的一侧表面嵌合设有传感器芯片(9)，所述传感器芯片(9)的一侧位于第一传感器壳体(1)的侧壁开设有储油腔(8)，所述第一传感器壳体(1)背离储油腔(8)的侧壁开设有凹面槽(6)，所述凹面槽(6)与储油腔(8)之间贯穿连接有连通槽(7)，所述凹面槽(6)的外缘处位于第一传感器壳体(1)的侧壁嵌合设有膜片(5)，所述膜片(5)通过限位组件保持固定，所述第一传感器壳体(1)的上表面开设有与连通槽(7)连通的注油管(11)，所述凹面槽(6)、连通槽(7)、储油腔(8)与注油管(11)的内部注入有硅油，所述注油管(11)的内部设有高度可调节的调节辊(12)，所述调节辊(12)的底端连接有用于对注油管(11)内部硅油密封的密封塞(13)，所述第一传感器壳体(1)的一侧固定设有与第一传感器壳体(1)镜像安装的第二传感器壳体(2)。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述第一传感器壳体(1)与第二传感器壳体(2)的内部分别固定有加热电阻丝(14)，所述加热电阻丝(14)的底端贯穿至连通槽(7)的内部，且所述加热电阻丝(14)与外界通过电缆电性连接。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述调节辊(12)与注油管(11)通过螺纹旋合连接，所述调节辊(12)的底端一体成型有延伸柱(15)，所述密封塞(13)的顶端固定有用于对延伸柱(15)套接限位的限位圈(16)。

4.根据权利要求3所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述密封塞(13)为橡胶圆柱体构件，且所述密封塞(13)的外壁一体成型有多个膨胀圈。

5.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述传感器芯片(9)的两端外缘处均一体成型有延伸圈(10)，所述第一传感器壳体(1)、第二传感器壳体(2)的侧壁均开设有与延伸圈(10)嵌合的退位环型槽。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述注油管(11)的顶端设有防尘密封盖，防尘密封盖通过转轴与第一传感器壳体(1)连接。

7.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：限位组件包括加强圈(4)，所述加强圈(4)通过螺栓与第一传感器壳体(1)连接并对膜片(5)外缘处进行限位。

8.根据权利要求1所述的一种高稳定性单晶硅压差传感器，其特征在于：所述膜片(5)的外侧位于第一传感器壳体(1)、第二传感器壳体(2)的侧壁分别一体成型有连接管(3)。