[实用新型]一种智能洁净缓存设备有效
申请号: | 202122229229.0 | 申请日: | 2021-09-14 |
公开(公告)号: | CN215933541U | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 李占国;王嘉祯;郑杨;成龙;涂炎兵;缪峰 | 申请(专利权)人: | 弥费实业(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/677 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 窦雪龙;冯振华 |
地址: | 200131 上海市浦东新区中国(上海)*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 智能 洁净 缓存 设备 | ||
本实用新型提供了一种智能洁净缓存设备,包括:支架;安装座,具有安装空间并吊设在支架上端;载盘,设置在安装空间内,载盘设置有进气口组和出气口组,进气口组的开口和出气口组的开口均朝向晶圆传送盒;进气管路,设置在载盘下表面,进气管路包括隔膜阀和层流质量流量控制器,隔膜阀入口与气源连通,隔膜阀出口与层流质量流量控制器入口连通,层流质量流量控制器出口与进气口组连通;调节管路,设置在载盘下表面,调节管路包括电磁阀和真空发生器,电磁阀入口与气源连通,电磁阀第一出口与隔膜阀的开度调节口连通,电磁阀第二出口与真空发生器的调节口连通;排气管路,设置在载盘的下表面,排气管路入口端与出气口组连通,排气管路出口端与真空发生器的入口连通。
技术领域
本实用新型属于半导体装置技术领域,更确切的说涉及半导体运输存储设备领域,尤其涉及一种智能洁净缓存设备。
背景技术
现阶段晶圆生产过程中,一般采用晶圆传送盒进行传送,晶圆传送盒是半导体制程中被使用来保护、运送、并储存晶圆的一种容器。晶圆传送盒的空中暂存站是传送设备相互协作、完成物料转移的重要程序。现有技术中公开了一种具有气体导引装置的光罩盒,其装设有一气体导引装置,气体导引装置连通光罩盒的至少一进气孔,并具有对应光罩盒的第一气体流动空间的第一出气开口及对应光罩盒的第二气体流动空间的第二出气开口。当进气孔供应一高洁净气体至气体导引装置,高洁净气体流经气体导引装置,并由第一出气开口及第二出气开口分别流至第一气体流动空间及第二气体流动空间,以使高洁净气体均匀分布于第一气体流动空间及第二气体流动空间
现有技术的缺点:现有的气体导引装置的光罩盒一般都放置在地面上进行清洁操作,因此会占用地面空间影响其他工序正常进行。
基于以上本申请提供了解决以上技术问题的技术方案。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是克服现有技术缺陷,提供一种智能洁净缓存设备,解决了现有的技术方案占用地面空间的问题。
本实用新型提供的技术方案如下:一种智能洁净缓存设备,包括:支架,沿竖直方向设置;安装座,吊设在支架的上端位置,安装座内设置有安装空间;载盘,设置在安装空间内,载盘设置有进气口组和出气口组,进气口组的开口和出气口组的开口均朝向晶圆传送盒进气管路,设置在载盘的下表面,进气管路包括隔膜阀和层流质量流量控制器,隔膜阀的入口与气源连通,隔膜阀的出口与层流质量流量控制器的入口连通,层流质量流量控制器的出口与进气口组连通;调节管路,设置在载盘的下表面,调节管路包括电磁阀和真空发生器,电磁阀的入口与气源连通,电磁阀的第一出口与隔膜阀的开度调节口连通,电磁阀的第二出口与真空发生器的调节口连通;排气管路,设置在载盘的下表面,排气管路的入口端与出气口组连通,排气管路的出口端与真空发生器的入口连通。
进一步地,智能洁净缓存设备还包括压力计和第一三通接头,第一三通接头的入口与出气口组连通,第一三通接头的第一出口与压力计连通,第一三通的第二出口与真空发生器的入口连通。
进一步地,智能洁净缓存设备还包括温湿度传感器,排气管路上设置有第二三通接头,第二三通接头的入口与第一三通的第二出口连通,第二三通接头的第一出口与温湿度传感器连通,第二三通接头的第二出口与真空发生器的入口连通。
进一步地,载盘上设置有用于识别晶圆传送盒ID信息的识别组件。
进一步地,载盘上表面设置有至少两个间隔设置的触发开关,触发开关能够检测晶圆传送盒的位置。
进一步地,载盘上表面设置有定位部,晶圆传送盒的下表面设置有与定位部配合的定位配合部。
进一步地,定位部为设置在载盘上表面的多个定位凸起,且多个定位凸起间隔错位设置,定位配合部为设置在晶圆传送盒底面的多个定位孔,多个定位孔与多个定位凸起一一对应配合。
进一步地,支架为伸缩支架,支架的上端为伸缩端,安装座悬挂设置于支架的上端并能够随支架的上端一起沿竖直方向移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造