[实用新型]半导体处理装置

说明书

本实用新型提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；第二腔室部。第一腔室部具有第一槽道，第二腔室部具有第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并在晶圆边缘处共同形成边缘微处理空间，容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间。第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽借助边缘微处理空间，本实用新型能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。

【技术领域】

本实用新型涉及半导体晶圆或相似工件的表面处理领域，特别涉及半导体处理装置。

【背景技术】

半导体晶圆的精准边缘腐蚀工艺是一个挑战的工艺。它要求在实现晶圆边缘微米级的精准腐蚀的同时不损伤或污染保留部分的薄膜。在外延片制程中和先进集成电路制程中，晶圆边缘腐蚀工艺是确保薄膜形成质量，提升芯片良率的重要步骤。

请参考图1a至图1d，其中：图1a示出了一种半导体晶圆400的结构示意图，图1b为图1a的E-E剖视图；图1c为外缘处理前半导体晶圆的外缘的部分剖视图；图1d为外缘处理后半导体晶圆的外缘部分的剖视图。如图1a至图1d所示，半导体晶圆400包括基材层401及形成在基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面的薄膜层402。经过针对半导体晶圆400的外缘部分的第一边缘表面404、第二晶圆表面406和外端斜边408选择性腐蚀处理后，所述半导体晶圆400的外缘部分的薄膜层402被去除，基材层401的第一边缘表面和第二边缘表面得以暴露。

现有的晶圆边腐蚀设备可分为干法和湿法两大类。干法主要分等离子体法和抛光法。等离子体边缘腐蚀法的设备成本高，方法也比较复杂，主要应用于集成电路芯片制程。抛光法是通过旋转晶圆，利用物理摩擦和化学气液结合，去除接触到的薄膜。抛光法设备成本较低，但容易发生保留膜部分被损伤和被污染情况，主要应用于200毫米以下晶圆制造制程。湿法主要有贴膜法和真空吸附法。贴膜法采用纯净防腐的PTFE、PE等塑料薄膜保护需要保留的薄膜的部分，然后整体暴露化学腐蚀气体环境中或浸泡化学腐蚀液里，腐蚀掉暴露的部分。贴膜法工艺步骤多，需要使用多种设备完成，其中包括贴膜、湿法腐蚀、清洗及去膜等设备。真空吸附法使用真空吸头吸住晶圆，真空吸头的功能是吸住晶圆把需要保留的薄膜的部分保护在真空吸头里，把需要去除的薄膜部分暴露在真空吸头外，然后将真空吸头和晶圆一起浸泡在化学腐蚀液里，腐蚀掉暴露在真空吸头外的膜部分。真空吸附法工艺步骤简单，设备成本较低，但容易发生保留膜部分被损伤和被污染情况，主要应用于200毫米以下晶圆制造制程。

鉴于此，有必要提出一种对半导体晶圆的边缘进行选择性的处理的半导体处理装置。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种半导体处理装置，其能够实现针对半导体晶圆的边缘的选择性处理。

为实现上述目的，根据本实用新型的第一个方面，本实用新型提供一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室，半导体晶圆能够容纳于所述微腔室内，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述打开位置时，所述半导体晶圆能够被取出或放入；第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置且所述微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，所述微腔室内的半导体晶圆的需要处理的边缘部分伸入所述边缘微处理空间，该边缘微处理空间内有至少2个以上边缘处理通孔与外部相通，流体通过所述边缘处理通孔进入或流出所述边缘微处理空间，第一腔室部上具有位于第一槽道外侧的密封接合部，第二腔室部上具有与密封接合部对应的接合凹槽。