[实用新型]一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置

说明书

本申请公开了一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置，其中籽晶托设于坩埚口并与坩埚形成密封腔，所述籽晶托贴紧在所述坩埚口的底面上设有籽晶，所述籽晶托远离坩埚口的顶面上设有与籽晶对应的厚度变化面，所述厚度变化面与籽晶托底面之间的间距从中心向边缘逐渐增加。本申请通过设置通过设置厚度变化面，降低籽晶托的径向的温差，保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀，籽晶上面生成的单晶内部应力小，达到实现生成高品质的单晶的目的。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长领域，具体涉及一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置。

背景技术

碳化硅单晶生长的基本过程包括原料分解升华、质量传输和在籽晶上结晶三个过程。当加热到一定的温度后原料主要分解为Si、Si2C、SiC2气体。在碳化硅单晶生长过程，晶体生长界面形状演化和单晶区直径变化等均与晶体生长的温度场相关，所以温场的均衡是生长高质量晶体的关键。现有技术中的籽晶托是平整的，安装在上面的籽晶表面温度分布不均匀，温度低的区域生长组分浓度高，过饱和度大，容易产生多个晶核的生长中心，多个中心的晶体在相遇后会产生大量缺陷，影响碳化硅单晶的品质。

实用新型内容

本实用新型针对上述问题，提出了一种籽晶托以及碳化硅单晶生长装置。

本实用新型采取的技术方案如下：一种籽晶托，设于坩埚口并与坩埚形成密封腔，所述籽晶托贴紧在所述坩埚口的底面上设有籽晶，所述籽晶托远离坩埚口的顶面上设有与籽晶对应的厚度变化面，所述厚度变化面与籽晶托底面之间的间距从中心向边缘逐渐增加。

通过设置通过设置厚度变化面，降低籽晶托的径向的温差，保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀，籽晶上面生成的单晶内部应力小，达到实现生成高品质的单晶的目的。

作为优选，所述籽晶托贴紧在所述坩埚口的底面上设有籽晶安装部，所述籽晶安装部为设置在所述籽晶托上的凹槽。

通过设置凹槽，实现对籽晶托的预定位，实现便于安装籽晶托的目的。

作为优选，所述籽晶通过粘合剂粘合在所述凹槽内。

通过粘合剂安装籽晶，安装过程简单，采用粘合的方式，连接牢固。

作为优选，所述凹槽的深度小于所述籽晶的厚度。

通过设置籽晶的表面突出籽晶托的表面，便于晶体在籽晶表面凝结。

作为优选，所述籽晶托与所述坩埚之间设有密封圈。

通过在籽晶托与坩埚之间设置密封圈，保障坩埚的密闭性，实现单晶的高效生成的目的。

作为优选，所述籽晶托和坩埚均采用石墨制成。

石墨具有杰出的热稳定性和热传导功能：采用石墨制成的坩埚和籽晶托，可以极大缩短熔炼时间，节约能源，同时石墨的耐腐蚀、耐冲击功能、以确保单晶质量。

作为优选，所述籽晶托上设有把手。

通过在籽晶托上设置把手，实现便于搬运籽晶托。

本实用还公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括上文所述的籽晶托。

本实用新型的有益效果是：通过在籽晶托上设置温场平衡结构，降低籽晶托的径向的温差，保障安装在籽晶托上的籽晶受热均匀，籽晶上面生成的单晶内部应力小，达到实现生成高品质的单晶的目的。

附图说明：

图1是籽晶托和坩埚的剖视图；

图2是另一种籽晶托和坩埚的剖视图的示意图；

图3是籽晶托的示意图；

图4是坩埚的示意图。

图中各附图标记为：