[实用新型]一种补偿式无触点市电稳压装置

权利要求书

1.一种补偿式无触点市电稳压装置，包括自耦变压器和补偿变压器，其特征在于，所述自耦变压器包括依次设置的三个绕组连接端，所述补偿变压器包括依次设置的多个第一初级绕组端和一个第二初级绕组端，所述补偿变压器还包括依次设置的两个次级绕组端；

所述补偿式无触点市电稳压装置还包括控制器、用于控制补偿电压方向的第一可控硅补偿器以及用于控制补偿电压大小的第二可控硅补偿器和第三可控硅补偿器；所述控制器分别与三相市电、所述第一可控硅补偿器、所述第二可控硅补偿器和所述第三可控硅补偿器电连接；

所述自耦变压器的首个绕组连接端与所述三相市电任一相的火线电连接，所述自耦变压器的末个绕组连接端与所述三相市电任一相的零线电连接，所述自耦变压器的三个绕组连接端还均通过所述第二可控硅补偿器与所述第三可控硅补偿器的一端电连接；

所述补偿变压器的第二初级绕组端通过所述第一可控硅补偿器分别与所述三相市电任一相的火线和零线电连接，所述补偿变压器的每个第一初级绕组端均与所述第三可控硅补偿器的另一端电连接；所述补偿变压器的两个次级绕组端串联在所述三相市电任一相的火线上。

2.根据权利要求1所述的补偿式无触点市电稳压装置，其特征在于，所述第一可控硅补偿器包括第一可控硅控制电路和第二可控硅控制电路；

所述第一可控硅控制电路的输入端与所述三相市电任一相的火线电连接，所述第二可控硅控制电路的输入端与所述三相市电任一相的零线电连接，所述第一可控硅控制电路的输出端和所述第二可控硅控制电路的输出端均与所述补偿变压器的第二初级绕组端电连接，所述第一可控硅控制电路的控制端和所述第二可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。

3.根据权利要求2所述的补偿式无触点市电稳压装置，其特征在于，所述第二可控硅补偿器包括三个第三可控硅控制电路；

三个所述第三可控硅控制电路的输入端与所述自耦变压器的三个绕组连接端一一对应电连接，每个所述第三可控硅控制电路的输出端均与所述第三可控硅补偿器的一端电连接，每个所述第三可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。

4.根据权利要求3所述的补偿式无触点市电稳压装置，其特征在于，所述第三可控硅补偿器包括多个第四可控硅控制电路；

所述第四可控硅控制电路的数量与所述补偿变压器的第一初级绕组端的数量相同，且所有所述第四可控硅控制电路的输出端与所有第一初级绕组端一一对应电连接，每个所述第四可控硅控制电路的输入端均分别与三个所述第三可控硅控制电路的输出端电连接，每个所述第四可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。

5.根据权利要求4所述的补偿式无触点市电稳压装置，其特征在于，所述第一可控硅控制电路、所述第二可控硅控制电路、每个第三可控硅控制电路和每个所述第四可控硅控制电路均包括可控硅、触发变压器U22、第一三极管Q3、第一二极管D14、第二二极管D15、第三二极管D16、第一电阻R97、第二电阻R98、第三电阻R93、第四电阻R94、第五电阻R90、压敏电阻VR10和电容C64；

所述第一三极管Q3的基极通过所述第一电阻R97与所述控制器电连接，所述第一三极管Q3的基极还通过所述第二电阻R98接地，所述第一三极管Q3的发射极接地，所述第一三极管Q3的集电极依次通过所述第一二极管D14和所述第三电阻R93与所述触发变压器U22的原边同名端电连接，所述第一三极管Q3的集电极还直接与所述触发变压器U22的原边非同名端电连接；所述触发变压器U22的副边同名端通过所述第二二极管D15与所述可控硅的控制极电连接，所述触发变压器U22的副边非同名端与所述可控硅的阳极电连接，所述第三二极管D16的负极和所述第四电阻R94的一端均连接在所述第二二极管D15与所述可控硅的控制极的公共端上，所述第三二极管D16的正极和所述第四电阻R94的另一端均连接在所述触发变压器U22的副边非同名端与所述可控硅的阳极的公共端上；所述第五电阻R90的一端和所述压敏电阻VR10的一端均与所述可控硅的阴极电连接，所述第五电阻R90的另一端通过所述电容C64与所述可控硅的阳极电连接，所述压敏电阻VR10的另一端也与所述可控硅的阳极电连接。