[实用新型]一种带自举电路的PMOS开关管DCDC电路

说明书

本实用新型公开了一种带自举电路的PMOS开关管DCDC电路，包括单片机U1、自举电路1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、二极管D1、电感L1、电容C4、P‑MOS开关Q1，本实用新型的电路采用RC滤波，对流经Q3的集电极的PWM信号处理，产生自举电压，从而完成限制流过稳压二极管ZD1电流，稳压二极管ZD1不会处于过流状态，有效保护了稳压二极管ZD1；本实用新型电路结构简单，成本低廉，且有低功耗特性。

技术领域

本实用新型涉及一种带自举电路的PMOS开关管DCDC电路。

背景技术

在DCDC电路运用中，如锂电充电的降压DCDC电路中，为了降低成本，简化电路，常用P-MOS管作开关管。此时，需要给P-MOS管SG之间加一个稳压二极管，保护P-MOS管。当输入电压高于稳压二极管稳压值，就需要增加一个自举电路，降低流过稳压二极管电流，减少二极管温升，确保电路安全，但现有降压DCDC电路中的稳压二极管容易处于过流状态，容易烧损稳压二极管，电路使用寿命短。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足，提供一种带自举电路的PMOS开关管DCDC电路。

为了达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种带自举电路的PMOS开关管DCDC电路，包括单片机U1、自举电路、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8、稳压二极管ZD1、电容C1、电容C2、二极管D1、电感L1、电容C4、P-MOS开关Q1，所述单片机U1通过电阻R7连接三极管Q4的基极，所述三极管Q4的基极通过电阻R8连接地信号GND，所述三极管Q4的发射极连接地信号GND，所述三极管Q4的集电极通过电阻R6连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极通过自举电路连接地信号GND，所述三极管Q3的发射极连接三极管Q2的发射极，所述三极管Q3的基极连接三极管Q2的基极，所述三极管Q2的基极通过电阻R1连接电源VCC，所述三极管Q2的集电极连接电源VCC，所述三极管Q2的发射极通过电阻R4连接P-MOS开关Q1的4管脚，所述P-MOS开关Q1的4管脚通过稳压二极管ZD1连接电源VCC，所述P-MOS开关Q1的1管脚、2管脚、3管脚都连接电源VCC，所述P-MOS开关Q1的1管脚连接电容C2的一端，所述电容C2的另一端通过电容C1连接P-MOS开关Q1的8管脚，所述P-MOS开关Q1的5管脚、6管脚、7管脚都连接P-MOS开关Q1的8管脚，所述P-MOS开关Q1的8管脚通过二极管D1连接地信号GND，所述P-MOS开关Q1的8管脚连接电感L1的一端，所述电感L1的另一端为直流电压输出端Vout，所述电感L1的一端通过电容C4连接地信号GND。

作为优选，还包括电容C5,所述电容C4与电容C5相并联。

作为优选，还包括电容C3，所述电源VCC通过电容C3连接地信号GND。

作为优选，所述自举电路包括电阻R9、电容C7，所述电阻R9与电容C7相并联。

作为优选，所述三极管Q2、三极管Q4都为NPN三极管，所述三极管Q3为PNP三极管。

本实用新型的有益效果如下：本实用新型的电路采用RC滤波，对流经Q3的集电极的PWM信号处理，产生自举电压，从而完成限制流过稳压二极管ZD1电流，稳压二极管ZD1不会处于过流状态，有效保护了稳压二极管ZD1；本实用新型电路结构简单，成本低廉，且有低功耗特性。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

具体实施方式

下面结合说明书附图对本实用新型的技术方案作进一步说明：