[实用新型]一种基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器

权利要求书

1.一种基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

包括衬底、若干个同类超表面结构，每个所述同类超表面结构分别与所述衬底固定连接，并位于所述衬底的顶部，若干个所述同类超表面结构沿X方向和Y方向周期性分布。

2.如权利要求1所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

每个所述同类超表面结构的材料均为Si，高度均为190nm；

所述衬底的材料为SiO₂，高为1000nm。

3.如权利要求2所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

每个所述同类超表面结构均包括两个第一长方体和八面体，两个所述第一长方体分别与所述八面体的侧面一体化设置，并均位于所述衬底的顶部，且关于所述八面体对称设置。

4.如权利要求3所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

每个所述第一长方体的长均为150nm，宽均为50nm。

5.如权利要求4所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

每个所述八面体包括两个四面体和第二长方体，两个所述四面体分别与所述第二长方体的侧面一体化设置，并分别位于所述第二长方体和对应的所述第一长方体之间。

6.如权利要求5所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

每个所述四面体的截面均为梯形，梯形的上底为50nm，下底为90nm，高为100nm；

所述第二长方体的长为90nm，宽为50nm。

7.如权利要求1所述的基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，其特征在于，

若干个所述同类超表面结构沿X方向周期性分布的周期为900nm；

若干个所述同类超表面结构沿Y方向周期性分布的周期为200nm。