[实用新型]一种局部加热熔料装置有效

专利信息
申请号: 202122252279.0 申请日: 2021-09-17
公开(公告)号: CN216107321U 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 廖永建;周里华;张福亮 申请(专利权)人: 惠磊光电科技(上海)有限公司
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B11/00
代理公司: 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 代理人: 陆中丹
地址: 201801 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 局部 加热 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种局部加热熔料装置,包括盛料盘,所述盛料盘内设置有若干个用于水平安置带晶料锭的石英坩埚的容置槽,且容置槽的底部设置有电加热组件,所述容置槽的两端均设置有压紧定位机构;所述压紧定位机构包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片、压持晶料锭外表面的压杆组件以及用于调节抵压弹片和压杆组件距离容置槽底端距离的高度调节组件。该装置,可将放置到容置槽内物料进行局部单向加热,使得物料靠近电加热组件的一侧物料能够缓慢依次熔化,将原本紧密充满坩埚内壁的物料形态转变为半充满不紧密贴附的形态,避免晶体生长不良需要重新进行二次生长晶体时因为物料膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。

技术领域

本实用新型属于晶体生长技术领域,具体涉及一种局部加热熔料装置。

背景技术

氯化物、溴化物和碘化物晶体比如碘化钠,碘化铯,碘化锂,溴化镧,氯化镧,溴化钾,CLYC,碘化铯等晶体,是非常重要的光电或闪烁晶体,具有非常广泛的用途。

这类晶体由于熔点低,同时对水分和氧含量要求极为苛刻,一般真空密封在石英坩埚内采用坩埚下降法进行晶体生长。这些卤化物晶体生长要求苛刻,成品率不高,经常出现碎裂、生长不完全、透明度低、气泡、散射颗粒等质量问题,导致生长出来的晶锭不合格。这些卤化物晶体原料由于高纯低水低氧含量,价格非常昂贵,甚至高达数万元每公斤。当生长不良时,由于原料本身是真空密封在石英坩埚内,经过一次生长原料本身不会被污染,完全可以二次利用。但是如果直接进行二次晶体生长,由于已经熔化结晶的料锭密实地贴附在坩埚内,在二次晶体生长的熔化过程中料锭膨胀大,极易撑裂坩埚,导致生长失败,甚至损坏晶体生长设备;如果把石英管破碎取出原料,那么原料非常容易吸水吸氧以及其他污染,导致原材料失效很难继续使用;及时继续二次处理需要花费很大的人力物力,并且效果不理想。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种局部加热熔料装置投入使用,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种局部加热熔料装置,包括盛料盘,所述盛料盘内设置有若干个用于水平安置带晶料锭的石英坩埚的容置槽,且容置槽的底部设置有电加热组件,所述容置槽的两端均设置有压紧定位机构;

所述压紧定位机构包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片、压持晶料锭外表面的压杆组件以及用于调节抵压弹片和压杆组件距离容置槽底端距离的高度调节组件。

优选的,所述高度调节组件包括固定设置于容置槽端部的支撑块、沿着支撑块高度方向开设于其内侧的导槽、设置于导槽侧壁上定位凹槽以及沿着导槽滑动的弧形记忆弹片,所述弧形记忆弹片通过连接杆与抵压弹片和压杆组件连接;

当弧形记忆弹片的弧部凸起朝向远离容置槽一端时,此时弧形记忆弹片的弧部卡入定位凹槽内。

优选的,所述压杆组件包括与连接杆同轴固定连接的支撑轴、转动安装于支撑轴上的一对轴套、固定安装于轴套上的压杆件以及套接于支撑轴外侧环形槽处且两端分别与两个轴套固定连接的扭转弹簧。

优选的,所述容置槽的中部设置有脱模机构,所述脱模机构包括沿着容置槽底面弧度开设的弧形槽以及对称设置于弧形槽内的一对脱模弹片,且两个脱模弹片的端部抵压。

优选的,所述脱模弹片的外侧包裹有氧化锆纤维纸。

优选的,所述脱模弹片的表面与容置槽的底端平齐,且脱模弹片的宽度与弧形槽一致。

本实用新型的技术效果和优点:该局部加热熔料装置,

1、可同时将多个带料锭的石英坩埚水平放置到容置槽内进行局部单向加热,使得物料逐步缓慢熔化。第一次晶体生长不良的带料石英坩埚水平放置在容置槽内时,靠近电加热组件的一侧物料能够缓慢依次熔化,将原本紧密充满坩埚内壁的物料形态转变为半充满不紧密贴附的形态,可以解决石英坩埚生长晶体不良需要重新进行二次生长晶体时因为物料膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。

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