[实用新型]一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路

权利要求书

1.一种抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，所述电路包括上桥臂电路、下桥臂电路，其特征在于，该上桥臂电路与该下桥臂电路均包括：

控制组件，其用于生产控制信号，该控制组件包括驱动控制组件、串扰抑制控制组件；

驱动电路，其包括第一开通管、第一关断管、第一开通电阻、第一关断电阻、第一正电平、第一地电平，该第一开通管的漏极与该第一正电平连接，该第一开通管的源极与该第一开通电阻的一端连接，该第一开通电阻的另一端与宽禁带半导体器件连接，该第一关断管的漏极与该第一地电平连接，该第一关断管的源极与该第一关断电阻的一端连接，该第一关断电阻的另一端与宽禁带半导体器件连接，该第一开通管的栅极与该第一关断管的栅极均与该驱动控制组件连接；

串扰抑制电路，其用于抑制宽禁带半导体器件半桥电路的串扰导通，该串扰抑制电路包括第二开通管、第二关断管、第二开通电阻、第二关断电阻、第二正电平、第一负电平、第二负电平、辅助晶体管，该第二开通管的漏极与该第二正电平连接，该第二开通管的源极与该第二开通电阻的一端连接，该第二开通电阻的另一端与该辅助晶体管的栅极连接，该第二关断管的漏极与该第一负电平连接，该第二关断管的源极与该第二关断电阻的一端连接，该第二关断电阻的另一端与该辅助晶体管的栅极连接，该辅助晶体管的源极通过限流电阻与该宽禁带半导体器件，该辅助晶体管的漏极与该第二负电平连接，该第二开通管的栅极与该第二关断管的栅极均与该串扰抑制控制组件连接。

2.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，该驱动控制组件产生互补的驱动宽禁带半导体器件的控制信号，该串扰抑制控制组件产生互补的用于抑制串扰导通的驱动辅助晶体管的控制信号。

3.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该上桥臂电路中，该串扰抑制电路的导通时间大于该驱动电路的死区时间，该串扰抑制电路的导通时间小于该驱动电路的关断时间。

4.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该下桥臂电路中，该串扰抑制电路的导通时间大于该驱动电路的死区时间，该串扰抑制电路的导通时间小于该驱动电路的关断时间。

5.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该上桥臂电路中，该串扰抑制电路的电平上升沿与该驱动电路的电平下降沿对齐。

6.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该下桥臂电路中，该串扰抑制电路的电平上升沿与该驱动电路的电平下降沿对齐。

7.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该上桥臂电路中，该驱动电路采用负压关断。

8.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，在该下桥臂电路中，该驱动电路采用负压关断。

9.根据权利要求1所述的抑制半桥电路串扰导通的多电平驱动电路，其特征在于，该宽禁带半导体器件包括SiC MOSFET、GaN HEMT或SiC IGBT。