[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，所述半导体电路包括散热基板、绝缘层、线路层和多个电子元件，所述多个电子元件包括PFC驱动芯片、整流电路、PFC开关管、续流二极管和快恢复二极管，其中所述线路层分为强电区和弱电区，所述PFC驱动芯片设置于所述弱电区，所述整流电路、PFC开关管和快恢复二极管设置于所述强电区。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述半导体电路的两侧还设置有强电引脚组和弱电引脚组，所述强电引脚组和弱电引脚组分别靠近且电连接所述强电区和所述弱电区。

3.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述弱电区设置有铺地铜箔区，所述驱动芯片设置于所述铺地铜箔区，且所述驱动芯片的接地端于所述铺地铜箔区电连接。

4.根据权利要求2所述的半导体电路，其特征在于，所述强电区依次设置有整流铜箔区和开关管铜箔区，所述强电引脚组包括整流输入输出引脚组和PFC开关引脚组，所述整流输入输出引脚组靠近所述整流铜箔区设置且与之电连接，所述PFC开关引脚组靠近所述开关管铜箔区设置且与之电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述开关管铜箔区包括第一开关管铜箔子区和第二开关管铜箔子区，所述第一开关管铜箔子区中部设置留空以设置所述第二开关管铜箔子区，所述第一开关管铜箔子区设置有PFC开关管和快恢复二极管，所述第二开关管铜箔子区设置有续流二极管。

6.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述整流铜箔区从左到右依次设置有第一至第三整流子铜箔区，所述第一整流子铜箔区设置并连接第三二极管的阳极，所述第二整流子铜箔区设置并连接第二二极管的阴极，所述第三整流子铜箔区设置并连接第一二极管和第四二极管的阳极，并且所述第一至第三整流子铜箔区之间连接键和线，以组成全桥整流电路。

7.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述强电引脚组的引脚之间的距离为4-8mm。

8.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述PFC驱动芯片内部设置有电源电路、电源欠压保护电路、PFC过流保护电路、温度检测电路、FO延时电路、报错电路、使能电路和过温保护电路。

9.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述散热基板的相对安装电子元件的一面设置有通过激光蚀刻或打磨形成的纹理。

10.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述绝缘层由树脂材料制成，所述树脂材料内部填充氧化铝和碳化铝的填料。