[实用新型]一种芯片结构有效
| 申请号： | 202122278860.X | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN215933633U | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 戴广超;赵世雄 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38;H01L33/10 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 谢松 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片结构，其特征在于，包括衬底，以及在所述衬底上依次沉积的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、反射层和导电层；
其中，所述衬底背离所述N型氮化镓层的一侧设置有滤波层。
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述滤波层为分布式布拉格反射镜层；和/或，所述反射层为分布式布拉格反射镜层。
3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述滤波层包括氧化硅层和氧化钛层交替堆叠设置的多层结构。
4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为20-90纳米；所述氧化钛层的厚度为20-150纳米。
5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述氧化硅层和所述氧化钛层交替排列至少11个周期。
6.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述滤波层的厚度为1-3微米。
7.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，通过蒸镀技术在所述衬底表面形成所述滤波层。
8.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述反射层的厚度为1-4微米。
9.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述导电层的厚度为1-4微米。
10.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述衬底的厚度为60-120微米。
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