[实用新型]一种PERC电池背面多层膜结构有效
申请号: | 202122282073.2 | 申请日: | 2021-09-18 |
公开(公告)号: | CN215815894U | 公开(公告)日: | 2022-02-11 |
发明(设计)人: | 戴燕华;沈柔泰;赵福祥 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 俞春雷 |
地址: | 226200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 背面 多层 膜结构 | ||
1.一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,包括由内向外依次设置在硅片背面的第一富氢层、第一氧化硅层、氧化铝层及氮化硅层,所述硅片为p型硅。
2.根据权利要求1所述的一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,所述氧化铝层与所述氮化硅层之间设置有第二富氢层。
3.根据权利要求2所述的一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,所述第二富氢层与所述氮化硅层之间设置有第二氧化硅层和/或氮氧化硅层。
4.根据权利要求3所述的一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,所述第一富氢层、第一氧化硅层、氧化铝层、第二富氢层、第二氧化硅层、氮氧化硅层及氮化硅层为单层或多层结构。
5.根据权利要求4所述的一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,所述第一富氢层、第一氧化硅层、氧化铝层、第二富氢层、第二氧化硅层、氮氧化硅层均为单层结构,所述氮化硅层为多层结构。
6.根据权利要求5所述的一种PERC电池背面多层膜结构,其特征在于,所述第一氧化硅层的厚度范围为1-2nm,所述氧化铝层的厚度范围为5-15nm,所述第二氧化硅层的厚度范围为3-8nm,所述氮氧化硅层的厚度范围为15-25nm,所述氮化硅层的总厚度范围为50-80nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的