[实用新型]薄膜沉积装置

说明书

本申请提供一种薄膜沉积装置，包括反应室和设置于反应室内的晶舟、反应气管及调节气管，反应气管和调节气管沿晶舟的周向分布于晶舟的外侧。晶舟用于承载沿垂直方向间隔排布的多个晶片。反应气管用于向反应室内通入反应气体，以在每一晶片的表面上形成薄膜。调节气管的朝向晶舟的侧壁沿垂直方向自上而下依次开设有第一喷气孔组、第二喷气孔组以及第三喷气孔组。其中，第一喷气孔组、第二喷气孔组和第三喷气孔组分别与晶舟在垂直方向上的顶部区域、中部区域和底部区域一一正对，且分别用于向晶舟的对应区域喷射惰性气体，以调节晶舟对应区域内承载的多个晶片表面的反应气体的流量，从而使不同层面的多个晶片上形成厚度适当且一致性高的薄膜。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积装置。

背景技术

在三维存储器件的制造工艺中，通常采用薄膜沉积装置在晶片上形成多层薄膜。薄膜沉积装置包括设于其反应室内的晶舟及反应气体注入管，在晶舟上沿垂直方向叠置多个晶片，反应气体注入管用于向反应室通入反应气体，从而可以在多个晶片上同时沉积多层薄膜，例如三维存储器件的功能叠层，该功能叠层为包括氧化物、氮化物和氧化物的ONO叠层结构。由于三维存储器件的功能叠层用于以电荷的形式存储数据，因此功能叠层中的多层薄膜质量对电学性能起着至关重要的作用。

然而，在薄膜沉积装置中，反应气体注入管通入反应室的反应气体总流量通常是固定值，当晶舟上叠置的晶片的数量发生改变时，每一晶片平均获得的反应气体流量即相应改变，导致每一晶片的薄膜厚度因晶片的数量变化而存在差异；此外，即使通入反应室内的反应气体在不同垂直高度分布均匀，但是位于不同层面的多个晶片之间会互相竞争反应气体，也会导致位于不同层面的多个晶片上沉积的薄膜厚度存在着差异。不论上述何种原因导致晶片上沉积的薄膜厚度存在差异，都会导致晶片上沉积的薄膜质量受到影响，进而对三维存储器件的电学性能和产品良率造成不利。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本申请提供一种薄膜沉积装置，通过调节气管向晶舟的各个区域喷射惰性气体，能够调节所述晶舟各个区域内承载的晶片表面的反应气体的流量，从而可以使位于所述晶舟的不同层面的多个所述晶片上沉积形成厚度适当且一致性高的薄膜，有利于提高三维存储器件的电学性能和产品良率。

为了实现上述目的，本申请提供一种薄膜沉积装置，包括反应室和分别设置于所述反应室内的晶舟、反应气管以及调节气管，所述反应气管和所述调节气管沿所述晶舟的周向分布于所述晶舟的外侧；

所述晶舟用于承载沿垂直方向间隔排布的多个晶片；

所述反应气管用于向所述反应室内通入反应气体，以在每一所述晶片的表面上形成沉积薄膜；

所述调节气管的朝向所述晶舟的侧壁沿垂直方向自上而下依次开设有第一喷气孔组、第二喷气孔组以及第三喷气孔组；

其中，所述第一喷气孔组、所述第二喷气孔组和所述第三喷气孔组分别与所述晶舟在垂直方向上的顶部区域、中部区域和底部区域一一正对，且分别用于向所述晶舟的对应区域喷射惰性气体，以调节所述晶舟对应区域内承载的多个所述晶片表面的所述反应气体的流量。

一实施例中，所述调节气管包括相互独立的第一管体、第二管体以及第三管体，所述第一喷气孔组、所述第二喷气孔组和所述第三喷气孔组一一对应地开设于所述第一管体、所述第二管体和所述第三管体的侧壁。

可选地，一种实施方式中，所述调节气管为沿垂直方向延伸的直线管，所述第一喷气孔组、所述第二喷气孔组和所述第三喷气孔组分别包括沿垂直方向间隔排布的多个喷气孔；或者，另一种实施方式中，所述调节气管为沿垂直方向且同时绕所述晶舟的周向延伸的曲线管，所述第一喷气孔组、所述第二喷气孔组和所述第三喷气孔组分别包括沿垂直方向同时沿所述晶舟的周向间隔排布的多个喷气孔。

其中，所述第一喷气孔组、所述第二喷气孔组和所述第三喷气孔组包括的所述喷气孔的总数量与所述晶舟承载的所述晶片的数量相等，且每一所述喷气孔对应于一所述晶片。