[实用新型]一种电源管理架构和芯片有效

专利信息
申请号: 202122304478.1 申请日: 2021-09-23
公开(公告)号: CN215954316U 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 周正;滕庆宇;赵伟兵;何再生;丘恒良 申请(专利权)人: 珠海一微半导体股份有限公司
主分类号: G06F30/33 分类号: G06F30/33;G06F30/337
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519000 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电源 管理 架构 芯片
【说明书】:

实用新型公开了一种电源管理架构和芯片,该架构通过第一复位引脚和第二复位引脚发送使能信号分别对第一电源域电源模块和第二电源域电源模块进行唤醒,使电源架构从因第一电源域电源模块和第二电源域电源模块暂停工作而无法供电的状态中进行恢复,提高电源架构的功能性,使电源架构更加强壮和稳定;VDD1电源模块和VDD2电源模块通过互动操作来彼此唤醒,功能强大;低功耗电源域和高功耗电源域相互独立,互不影响,鲁棒性更强。

技术领域

本实用新型涉及电路设计领域,具体涉及一种电源管理架构和芯片。

背景技术

随着国内芯片消费市场需求的不断扩大,芯片自给率不断提高,对应各种不同应用需求的SOC和MCU产品层出不穷,且不断代替国外产品;电源管理模块(PMU)作为芯片供电的核心部分,对一个好的产品来说至关重要;随着电子产品性能的不断提升,各种芯片对功耗的要求也不断提升,各种新的电源管理架构自然应运而生,而现有的电源架构的稳定性较差,在电路中的某个元器件无法工作时,无法进行唤醒,导致电源无法供电。

实用新型内容

为解决上述问题,本实用新型提供了一种电源管理架构和芯片,在降低电源管理架构的功耗的同时,还增强电源管理架构的稳定性,在无法工作时,根据外部信号来恢复工作状态。本实用新型的具体技术方案如下:

一种电源管理架构,该架构包括第一电源域接口、第二电源域接口、第一电源域电源模块、第二电源域电源模块、VDD1电源域、VDD2电源域和电源选择开关;所述第一电源域接口和第二电源域接口通过电源选择开关与第一电源域电源模块相连,第一电源域电源模块与VDD1电源模块相连;所述第二电源域接口与第二电源域电源模块相连,所述第二电源域电源模块与VDD2电源模块相连;所述第一电源域电源模块设有第一复位引脚,所述第一复位引脚和VDD2电源模块用于发送使能信号来唤醒第一电源域电源模块;所述第二电源域电源模块设有第二复位引脚,所述第二复位引脚和VDD1电源模块用于发送使能信号来唤醒第二电源域电源模块。

与现有的技术相比,本申请的技术方案通过第一复位引脚和第二复位引脚同时发送使能信号分别对第一电源域电源模块和第二电源域电源模块进行唤醒,或者,通过第一复位引脚或第二复位引脚中的一个,发送使能信号对相对应的电源域电源模块进行唤醒,然后再通过VDD1电源模块或VDD2电源模块对另一个电源域电源模块进行唤醒,使电源架构从因第一电源域电源模块和第二电源域电源模块暂停工作而无法供电的状态中进行恢复,提高电源架构的功能性,使电源架构更加强壮和稳定;VDD1电源模块和VDD2电源模块通过互动操作来彼此唤醒,功能强大;低功耗电源域和高功耗电源域相互独立,互不影响,鲁棒性更强。

进一步地,所述第一电源域电源模块包括低功耗带隙基准源、第一电源比较器、第一唤醒模块、第一低压差线性稳压器和第一源跟随器;所述低功耗带隙基准源分别与第一电源比较器、第一低压差线性稳压器和第一源跟随器相连;所述第一唤醒模块分别与第一电源比较器、第一低压差线性稳压器和第一源跟随器相连;所述第一低压差线性稳压器和第一源跟随器的输出端共同与VDD1电源模块相连,用于输出电压VDD1给VDD1电源模块,使VDD1电源模块产生低电压电源域。

进一步地,所述第一唤醒模块包括5个输入端和2个输出端,所述第一唤醒模块的输入端分别与第一复位引脚、第一电源比较器、VDD1电源模块和VDD2电源模块相连,且所述第一唤醒模块的输入端中有2个输入端与VDD1电源模块相连,所述第一唤醒模块的输出端分别与第一低压差线性稳压器和第一源跟随器相连。

进一步地,所述VDD1电源模块包括逻辑电路,所述逻辑电路包括3个输出端,所述逻辑电路中有2个输出端分别与第一唤醒模块相连,用于发送信号来调整第一低压差线性稳压器和第一源跟随器的状态,所述逻辑电路中的另一个输出端与第二电源域电源模块相连,用于发送信号来唤醒第二电源域电源模块。与现有的技术相比,外部唤醒机制以实现能将逻辑供电完全关闭,以实现更低功耗。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海一微半导体股份有限公司,未经珠海一微半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122304478.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top