[实用新型]一种低功耗隔离电源

权利要求书

1.一种低功耗隔离电源，其特征在于，包括第一AC/DC变换电路、开关电路、Y电容电路、触发单元、MCU控制电路、第二AC/DC变换电路和DC/DC电路，所述开关电路的输入端和所述Y电容电路的输入端均与交流输入电源连接，所述开关电路的输出端与所述第一AC/DC变换电路的输入端连接，所述第一AC/DC变换电路的输出端分别与负载和所述DC/DC电路的输入端连接，所述Y电容电路的输出端通过所述第二AC/DC变换电路与所述DC/DC电路的输入端连接，所述DC/DC电路分别与所述MCU控制电路和开关电路连接，所述开关电路和触发单元分别与所述MCU控制电路连接，所述MCU控制电路用于根据所述触发单元发送过来的触发信号控制所述开关电路导通或断开。

2.根据权利要求1所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述Y电容电路包括第一Y电容、第二Y电容、第三Y电容和第四Y电容，所述交流输入电源为单相交流电源，所述交流输入电源的零线依次通过所述第一Y电容和第二Y电容与所述第二AC/DC变换电路连接，所述交流输入电源的火线依次通过所述第三Y电容和第四Y电容与所述第二AC/DC变换电路连接。

3.根据权利要求1所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述MCU控制电路与所述第二AC/DC变换电路连接，所述MCU控制电路还用于根据所述触发单元发送过来的触发信号控制所述第二AC/DC变换电路的输出端是否进行输出。

4.根据权利要求3所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述第二AC/DC变换电路包括整流桥、第一N型MOS管、第一电阻、第二电阻和第七二极管，所述整流桥的输入端与所述Y电容电路的输出端连接，所述整流桥的输出端通过所述第一电阻分别与所述第七二极管的正极和所述第一N型MOS管的漏极连接，所述第七二极管的负极与所述DC/DC电路的输入端连接，所述第一N型MOS管的栅极分别与所述MCU控制电路和所述第二电阻的一端连接，所述第一N型MOS管的源极和所述第二电阻的另一端均与信号地连接。

5.根据权利要求1所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述DC/DC电路包括第二齐纳二极管、第三齐纳二极管、第四二极管、NPN型三极管和第五电解电容，所述第二齐纳二极管的负极和所述第四二极管的正极均与所述第二AC/DC变换电路的输出端连接，所述第四二极管的负极分别与所述NPN型三极管的集电极和所述第五电解电容的正极连接，所述NPN型三极管的发射极和所述MCU控制电路连接，所述第二齐纳二极管的正极分别与所述第三齐纳二极管的负极和所述NPN型三极管的基极连接，所述第三齐纳二极管的正极和所述第五电解电容的负极均与信号地连接。

6.根据权利要求5所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述DC/DC电路还包括线性稳压芯片，所述NPN型三极管的发射极通过所述线性稳压芯片与所述MCU控制电路连接。

7.根据权利要求5所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述DC/DC电路还包括第五二极管、第七电解电容和第三电阻，所述第二齐纳二极管的正极通过所述第五二极管与所述NPN型三极管的基极连接，所述第七电解电容的正极和所述第三电阻的一端均与所述NPN型三极管的基极连接，所述第七电解电容的负极和所述第三电阻的另一端均与所述信号地连接。

8.根据权利要求1所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述开关电路包括驱动电路和电子开关，所述电子开关串联在所述交流输入电源与所述第一AC/DC变换电路的输入端之间，所述MCU控制电路通过所述驱动电路与所述电子开关连接。

9.根据权利要求1所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述触发单元为手动操作开关或定时器；或者，所述触发单元为有线通信单元或无线通信单元，所述触发单元与控制终端连接。

10.根据权利要求2所述的低功耗隔离电源，其特征在于，所述第一Y电容、第二Y电容、第三Y电容和第四Y电容的容量取值范围均为1～22nF。