[实用新型]一种基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构有效

专利信息
申请号: 202122350491.0 申请日: 2021-09-27
公开(公告)号: CN216052543U 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 余剑辉;李小龙;马一;朱书纬;吴美叶;邱旭平 申请(专利权)人: 福建华佳彩有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 代理人: 戴雨君
地址: 351100 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 列阵 透过 解析度 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:所述基于拜耳阵列的像素结构包括多个呈阵列式重复排列的像素单元,每个像素单元包括:每个主像素区包含五个子像素区,依次相邻的四个子像素区沿顺时针方向分别为R子像素区、G子像素区、B子像素区和G子像素区,此四个子像素中间为W子像素区。

2.根据权利要求1所述的一种基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:所述子像素区采用单畴模式、双畴模式或多畴模式。

3.根据权利要求2所述的一种基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:所述子像素区采用单畴模式时,所述子像素区为四边形区域或圆形区域。

4.根据权利要求2所述的基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:所述子像素区采用双畴模式时,所述子像素区为人字形区域。

5.根据权利要求3所述的基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:所述W子像素区占比RGBGW子像素区比例为20%~80%。

6.根据权利要求1所述的基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:第一栅极线位于所述R子像素区和G子像素区之间,第二栅极线位于所述W子像素区,第三栅极线位于所述G子像素区和B子像素区之间。

7.根据权利要求1所述的基于拜耳列阵的高透过率和解析度像素结构,其特征在于:还包括:像素电极,和与像素电极部分重叠构成存储电容的公共电极线,其中,像素电极覆盖在子像素区的透光区上。

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