[实用新型]垂直栅控忆阻器

权利要求书

1.一种垂直栅控忆阻器，其特征是，所述垂直栅控忆阻器包括：

基底；

设置在所述基底上的栅介质层；

间隔设置在所述栅介质层上的底电极层和栅极层；

依次设置在所述底电极层上的中间层和顶电极层。

2.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述顶电极层部分覆盖所述中间层，所述中间层部分覆盖所述底电极层。

3.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述底电极层的未被所述中间层覆盖的部分以及所述中间层的未被所述顶电极层覆盖的部分设置在朝向所述栅极层的一侧，和/或远离所述栅极层的一侧。

4.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述栅介质层采用生物可降解的环保材料。

5.如权利要求4所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述栅介质层为采用旋涂或者滴涂方法制备的海藻酸钠薄膜，厚度为1μm～100μm。

6.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述底电极层采用蒸镀或磁控溅射方法形成的活泼金属多孔薄膜，所述顶电极层为采用蒸镀或磁控溅射方法形成的惰性金属薄膜。

7.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述底电极层为采用蒸镀或磁控溅射方法形成的惰性金属多孔薄膜，所述顶电极层为采用蒸镀或磁控溅射方法形成的活泼金属薄膜。

8.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述栅极层为采用蒸镀或磁控溅射方法形成的金属层。

9.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述中间层采用磁控溅射方法形成的半导体薄膜，厚度为1nm～5nm，或者采用化学气相沉积方法形成的二硫化钼层。

10.如权利要求1所述的垂直栅控忆阻器，其特征是，所述中间层采用固体电解质材料，包括采用原子层沉积方法形成的Ta₂O₅、SiO₂、Al₂O₃、HfO₂材料的其中之一。