[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

电绝缘基板，所述电绝缘基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；

至少一个半导体裸片，所述至少一个半导体裸片在至少一个相应的半导体裸片安装位置处被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面；

引线框的多个导电引线，所述多个导电引线围绕所述电绝缘基板被布置；

多个导电结构，所述多个导电结构将所述至少一个半导体裸片耦合到所述多个导电引线中的被选择的引线；以及

封装模制材料，所述封装模制材料被模制到被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面处的所述至少一个半导体裸片上、所述引线框的所述多个导电引线上、以及所述多个导电结构上，以形成扁平无引线封装，使所述电绝缘基板的所述第二表面未被所述封装模制材料覆盖，并且使所述多个导电引线的底表面未被所述封装模制材料覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个导电结构包括在所述电绝缘基板的所述第一表面上的第一导电图案，并且其中所述第一导电图案包括在所述至少一个半导体裸片安装位置处的至少一个裸片焊盘。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电图案包括导电线，所述导电线将所述至少一个半导体裸片耦合到所述多个导电引线中的被选择的引线。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，包括多个半导体裸片，所述多个半导体裸片在相应的多个半导体裸片安装位置处被安装在所述电绝缘基板的所述第一表面处，其中所述第一导电图案包括导电线，所述导电线将所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片耦合到所述多个半导体裸片中的至少另一个半导体裸片。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个半导体裸片包括第一晶体管裸片、第二晶体管裸片、第一二极管裸片、第二二极管裸片、第一晶体管驱动电路裸片和第二晶体管驱动电路裸片；

围绕所述基板被布置的所述多个导电引线包括控制信号引线的第一集合、控制信号引线的第二集合、正电压供电引线、负电压供电引线或参考电压供电引线、以及输出电压引线；

所述电绝缘基板的所述第一表面上的所述导电图案中的所述导电线包括：

第一导电线，将所述第一晶体管裸片的漏极端子或集电极端子耦合到所述第一二极管裸片的阴极端子；

第二导电线，将所述第二晶体管裸片的漏极端子或集电极端子耦合到所述第二二极管裸片的阴极端子；

导电线的第一子集，被配置为从所述电绝缘基板的外围朝向所述第一晶体管驱动电路裸片路由信号；以及

导电线的第二子集，被配置为从所述电绝缘基板的所述外围朝向所述第二晶体管驱动电路裸片路由信号；以及

其中所述多个导电结构还包括键合线，所述键合线将所述多个导电引线中的被选择的引线耦合到所述导电线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电绝缘基板包括陶瓷基板。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电绝缘基板包括一层或多层氧化物材料和氮化物材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电绝缘基板包括一层或多层氧化铝材料和氮化硅材料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电绝缘基板的厚度在100μm至1.27mm的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括在所述电绝缘基板的所述第二表面上的导电材料层，其中所述导电材料层未被所述封装模制材料覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，在所述电绝缘基板的所述第二表面上的所述导电材料层包括在所述基板的所述第二表面上的第二导电图案。