[实用新型]一种带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器有效
| 申请号： | 202122406356.3 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN215896964U | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 张子旸;姚中辉;陈红梅;蒋成;王洪培 | 申请（专利权）人： | 青岛翼晨镭硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/24;H01S5/22 |
| 代理公司： | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人： | 蒋遥明 |
| 地址： | 266000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 功率 放大器 单纵模 沟槽 激光器 | ||
1.一种带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，包括基片，所述基片的顶部设置有脊型波导，其特征在于，所述基片中设置有沟槽，所述沟槽设置于所述脊型波导的正下方，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸的方向倾斜布置；所述脊型波导的后方连通设置有功率放大器。
2.根据权利要求1所述的带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，其特征在于，所述功率放大器为锥形放大器，所述锥形放大器的两侧边与脊型波导延伸方向的夹角为5°。
3.根据权利要求2所述的带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，其特征在于，所述基片包括底部的一次外延结构以及顶部的二次外延结构，所述沟槽设置于所述一次外延结构与所述二次外延结构之间；所述脊型波导以及所述功率放大器为所述二次外延结构的一部分。
4.根据权利要求3所述的带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，其特征在于，所述一次外延结构从下往上依次包括N-GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层以及P-GaAs/AlGaAs斜槽层，所述斜槽设置于所述P-GaAs/AlGaAs斜槽层中；所述二次外延结构从下往上依次包括P-AlGaAs上包层以及P+-GaAs衬底欧姆接触层。
5.根据权利要求1所述的带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，其特征在于，所述沟槽的排布方向与所述脊型波导延伸方向的夹角为86°，所述沟槽的宽度为1μm。
6.根据权利要求4所述的带有功率放大器的单纵模沟槽F-P激光器，其特征在于，所述沟槽设置有平行排布的两条，两条所述沟槽之间的距离为10μm；所述沟槽与所述基片的有源区距离50nm。
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