[实用新型]一种HARP设备的真空气路结构有效
申请号: | 202122425574.1 | 申请日: | 2021-10-09 |
公开(公告)号: | CN216624234U | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 赵兴;韩晓刚;裴雷洪 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 harp 设备 空气 结构 | ||
1.一种HARP设备的真空气路结构,其特征在于,所述HARP设备内的加热器表面形成有真空吸附气孔和泄压气孔,所述真空吸附气孔与真空管路连通,所述泄压气孔与旁路管路连通,所述真空管路提供真空以吸附晶圆,所述旁路管路提供气体以解除对晶圆的真空吸附及与对所述HARP设备的腔体进行泄压。
2.如权利要求1所述的真空气路结构,其特征在于,所述真空吸附气孔与所述泄压气孔相间设置。
3.如权利要求1所述的真空气路结构,其特征在于,所述真空管路设置有真空控制阀,对晶圆进行HARP工艺过程中,所述真空控制阀处于打开状态,所述HARP工艺结束后,所述真空控制阀处于关闭状态。
4.如权利要求1所述的真空气路结构,其特征在于,所述旁路管路设置有旁路控制阀,对晶圆进行HARP工艺过程中,所述旁路控制阀处于关闭状态,所述HARP工艺结束后,所述旁路控制阀处于打开状态。
5.如权利要求4所述的真空气路结构,其特征在于,所述旁路管路安装有滤芯以用于过滤气体。
6.如权利要求5所述的真空气路结构,其特征在于,所述滤芯安装于所述旁路控制阀与所述泄压气孔之间。
7.如权利要求1所述的真空气路结构,其特征在于,所述真空管路连通于厂务端真空系统。
8.如权利要求7所述的真空气路结构,其特征在于,所述厂务端真空系统产生的负压低于所述HARP设备的腔室的压力。
9.如权利要求1所述的真空气路结构,其特征在于,所述旁路管路连通于厂务端供气系统。
10.如权利要求9所述的真空气路结构,其特征在于,所述厂务端供气系统提供的气体的压力大于所述HARP设备的腔室的压力,所述厂务端供气系统提供的气体为干燥压缩空气或氮气或氩气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202122425574.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种小型钣金件弯折成型装置
- 下一篇:一种家装用电线
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造