[实用新型]一种晶圆单片生产用清洗装置有效

专利信息
申请号: 202122429853.5 申请日: 2021-10-09
公开(公告)号: CN215656722U 公开(公告)日: 2022-01-28
发明(设计)人: 王长东 申请(专利权)人: 苏州军科域光电科技有限公司
主分类号: B08B3/02 分类号: B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单片 生产 清洗 装置
【说明书】:

本实用新型公开了一种晶圆单片生产用清洗装置,包括高压清洗枪,所述高压清洗枪的内侧下部设有流道,所述高压清洗枪的一侧设有与流道连通的供液管,所述流道的内侧设有导套,且导套的底端伸至高压清洗枪的下方,所述导套通过多个均匀设置的撑片与流道的内壁固定连接。本实用新型中,采用高压清洗枪对晶圆表面的淤渣进行冲洗,为避免淤渣在冲洗过程中反复摩擦晶圆表面,故在开始清洗时,调节组件处于收缩状态,此时喷出的清洗液集中在晶圆的中心,随着伸缩电机的动作传动杆逐渐下移将调节组件撑开,使得喷出的清洗液由点变为环状,并逐渐向晶圆边沿移动,从而实现从中心向边沿的同步清洗,减少晶圆表面磨损的同时,提高了清洗效率。

技术领域

本实用新型涉及晶圆单片生产技术领域,具体涉及一种晶圆单片生产用清洗装置。

背景技术

半导体器件生产过程中晶圆须经严格清洗,微量污染也容易导致器件时效。现有的单片清洗机台清洗晶圆的过程中,为去除研磨后粘附于晶圆表面的淤渣,将研磨工程结束后的晶圆放入水洗槽中,再用含有表面活性剂成分的清洁剂槽或用上下刷子去除粘附于晶圆表面的研磨粉。

但是在长时间使用后,表面活性剂的作用会下降,且刷子与晶圆表面的直接机械摩擦,会对晶圆表面引起擦伤,从而恶化晶圆的质量。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆单片生产用清洗装置,以解决表面活性剂的作用会下降,且刷子与晶圆表面的直接机械摩擦,会对晶圆表面引起擦伤,从而恶化晶圆的质量的技术问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:

一种晶圆单片生产用清洗装置,包括高压清洗枪,所述高压清洗枪的内侧下部设有流道,所述高压清洗枪的一侧设有与流道连通的供液管,所述流道的内侧设有导套,且导套的底端伸至高压清洗枪的下方,所述导套通过多个均匀设置的撑片与流道的内壁固定连接,所述高压清洗枪的顶端设有伸缩电机,且伸缩电机的底端与传动杆传动连接,且传动杆的底端穿过导套并延伸至导套的下方处,所述传动杆的底端与导套的底端均与调节喷水形状的调节组件连接。

进一步的,所述调节组件包括可收缩或展开的环形面体,所述环形面体的内侧边沿与导套的底端外边沿固定连接,所述环形面体的底面均匀设有多个第一撑杆,所述第一撑杆的一端与环形面体的边沿固定连接,另一端与导套的底面转动连接。

进一步的,所述传动杆的底端套设有连接件,所述连接件上均匀设有多个第二撑杆,且第二撑杆的一端与连接件转动连接,另一端与第一撑杆的中部转动连接。

进一步的,所述连接件随传动杆移动到最高行程处时,所述第一撑杆合拢构成锥形。

进一步的,所述连接件随传动杆移动到最底行程处时,所述环形面体被完全撑开,且构成的虚拟锥体的锥度为120°。

进一步的,所述高压清洗枪的底端设有锥形结构的护罩。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

本实用新型中,采用高压清洗枪对晶圆表面的淤渣进行冲洗,为避免淤渣在冲洗过程中反复摩擦晶圆表面,故在开始清洗时,调节组件处于收缩状态,此时喷出的清洗液集中在晶圆的中心,随着伸缩电机的动作传动杆逐渐下移将调节组件撑开,使得喷出的清洗液由点变为环状,并逐渐向晶圆边沿移动,从而实现从中心向边沿的同步清洗,减少晶圆表面磨损的同时,提高了清洗效率。

附图说明

图1为一种晶圆单片生产用清洗装置的内部结构示意图;

图2为一种晶圆单片生产用清洗装置的侧视图;

图3为一种晶圆单片生产用清洗装置中调节组件展开后的仰视图。

图中:1、高压清洗枪;2、流道;3、供液管;4、导套;5、撑片;6、伸缩电机;7、传动杆;8、调节组件;81、环形面体;82、第一撑杆;9、连接件;10、第二撑杆;11、护罩。

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