[实用新型]一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路

说明书

本实用新型涉及偏置电路技术领域，尤其是一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路，包括电源一、电源二、电源三、电感、晶体管一、晶体管二、电容一、电容二、电阻一、电阻二和RC电路，所述的晶体管一和晶体管二均为场效应管，电源一的负极接地，正极串联电感后与晶体管一的源极连接，电容一的一端连接晶体管一的源极，电容一的另一端串联电阻一后接地；电源二的负极接地，正极串联RC电路后与晶体管一的栅极连接，晶体管一的漏极连接晶体管二的源极；外部输入信号串联电容二后与晶体管二的栅极连接，电阻二的一端连接晶体管二的栅极，电阻二的另一端连接电源三的正极，电源三的负极接地，本实用新型降低了栅极电压，提高了电路可靠性。

技术领域

本实用新型涉及偏置电路技术领域，具体领域为一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路。

背景技术

因晶体管的小型化，对于现有的集成电路，其功率放大器的输出端电源幅度为电源电压的2-3倍，为了保证器件处于安全工作状态，因此在设计时，只能使用较低的电压，并使用大型号晶体管以获得大输出功率，但是大型号的晶体管输入阻抗小，因此对于电路系统中匹配较为麻烦，导致电路性能和可靠性下降。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种应用于功率放大器上的可调整偏置电路，包括电源一、电源二、电源三、电感、晶体管一、晶体管二、电容一、电容二、电阻一、电阻二和RC电路，所述的晶体管一和晶体管二均为场效应管，

电源一的负极接地，正极串联电感后与晶体管一的源极连接，电容一的一端连接晶体管一的源极，电容一的另一端串联电阻一后接地；

电源二的负极接地，正极串联RC电路后与晶体管一的栅极连接，晶体管一的漏极连接晶体管二的源极；

外部输入信号串联电容二后与晶体管二的栅极连接，晶体管的漏极接地；

电阻二的一端连接晶体管二的栅极，电阻二的另一端连接电源三的正极，电源三的负极接地。

优选的，所述RC电路包括电阻三和电容三，电源二的正极串联电阻三后与晶体管一的栅极连接，电容三的一端连接晶体管的栅极，电容三的另一端接地。

优选的，所述晶体管一和晶体管二均为厚栅晶体管。

优选的，所述电源一的电压为3.3V。

优选的，所述电源二的电压为2V。

优选的，所述电源三的电压为0.35V。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：通过本申请的偏置电路设计，有效降低了栅极电压，提高了电路可靠性；

通过三个电源和两个晶体管的配合，晶体管一的栅极电压最大只有3.2V，大大提高了电路可靠性，缓解了器件热载流效应；

通过厚栅晶体管的设置，能够提高击穿电压，用于提高电路的稳定可靠性。

附图说明

图1为本实用新型的电路原理图。

图中：1、电源一；2、电源二；3、电源三；4、电感；5、晶体管一；6、晶体管二；7、电容一；8、电容二；9、电阻一；10、电阻二；11、电阻三；12、电容三。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。