[实用新型]射频功率芯片封装结构

说明书

本实用新型公开了一种射频功率芯片封装结构。所述射频功率芯片封装结构包括：封装框架以及被封装在所述封装框架内的射频功率芯片、输出匹配电路组件和第一焊盘，其中，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件固定设置在一封装基岛上，且所述射频功率芯片还与所述输出匹配电路组件电连接；以及，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件还与所述第一焊盘电连接。本实用新型提供的射频功率芯片封装结构，射频功率芯片主体部分采用QFN封装方式进行封装，输出匹配电路组件通过LGA方式与射频功率芯片集成设置在同一封装基岛上，使得该射频功率芯片封装结构既具有优异的电性能和散热性能，又降低了输出匹配的损耗。

技术领域

本实用新型涉及一种芯片封装结构，特别涉及一种射频功率芯片封装结构，属于芯片封装技术领域。

背景技术

射频功率放大器是无线通信系统的核心模块，其性能、面积、集成度直接决定了无线通信系统的指标、成本和可靠性等。封装技术影响着射频功率芯片的性能和可靠性等。

射频功率芯片的输出匹配电路用于把负载阻抗转换到功率放大器工作需要的合适阻抗，使得功率放大器产生最好的功率和效率，因此匹配电路对于功率放大器至关重要，通常片上匹配元器件Q值较低造成匹配电路损耗较大，因此输出匹配电路通常做在片外。

现有的芯片封装技术一般包括如下几种方式：

集成无源器件(IPD)技术可以把电路的无源部分做成芯片，然后通过SIP技术集成，在提高芯片集成度方面发挥着重要作用，但应用在对性能要求较高的射频功率放大器输出匹配电路中时面临着损耗过大，IPD器件电压限制以及不便调节灵活性较差等诸多问题；

格栅阵列封装(land grid array，LGA)封装技术在射频功率芯片中有着广泛应用，它通过金属触点和对应的插座连通Die和PCB，LGA封装的引线阻抗小，寄生电感小，且只需较小的封装便可容纳更多的引脚，适合应用在高频电路和射频功率芯片中。LGA封装的不足之处是热量耗散主要靠金属触点扩散到PCB中，因此应用在功率较高的功率放大器中时可能存在散热问题，另一方面LGA封装的插座制作相对复杂，成本较高；

方形扁平无引脚封装(Quad Flat No-leadPackage，QFN)是一种表贴封装技术，焊盘尺寸小，体积小，内部引脚到焊盘之间的路径较短，寄生电感和电阻较小，因此电性能出色；底部中间具有大面积裸露的焊盘，结合外漏的引线框架焊盘，散热性能出色，QFN适合用于射频功率放大器中。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种射频功率芯片封装结构，以克服现有技术中的不足。

为实现前述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案包括：

本实用新型实施例提供了一种射频功率芯片封装结构，其包括：封装框架以及被封装在所述封装框架内的射频功率芯片、输出匹配电路组件和第一焊盘，其中，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件固定设置在一封装基岛上，且所述射频功率芯片还与所述输出匹配电路组件电连接；以及，所述射频功率芯片和输出匹配电路组件还与所述第一焊盘电连接。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供的一种射频功率芯片封装结构，射频功率芯片主体部分采用QFN封装方式进行封装，输出匹配电路组件通过LGA方式与射频功率芯片集成设置在同一封装基岛上，使得该射频功率芯片封装结构既具有优异的电性能和散热性能，又降低了输出匹配的损耗，同时，还可通过调节SMD元件来优化功率放大器的性能，整个功率放大器置于封装框架中，提高了集成度；以及，本实用新型实施例提供的一种射频功率芯片封装结构的实现方式相对简单，可以有效的降低封装的复杂度和成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。