[实用新型]一种电池片及使用其的太阳能电池组件

说明书

本实用新型提供一种电池片及使用其的太阳能电池组件，所述电池片包括电池片衬底和表面膜结构，所述表面膜结构包括所述电池片衬底的正面依次沉积的高折射率膜、中折射率膜和低折射率膜，所述各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚。本实用新型的电池片可以解决现有技术中存在太阳能电池膜色发蓝的问题，使其做出的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑组件的难题，包含该该正膜结构的太阳能电池组件外观呈黑色，大大提高市场需求，同时底层膜的折射率高，提高了组件的抗PID性能。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，涉及一种电池片及使用其的太阳能电池组件。

背景技术

太阳能因其无污染和可再生等特点已逐渐被各行各业所利用，最典型就是光伏行业。近几年，光伏行业中的BIPV(光伏建筑一体化)迅速发展，黑色的太阳能组件因其符合大众的审美，要求广泛用于居民屋顶。

目前主流的晶硅电池制造工艺所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发蓝，无法满足人们对组件外观审美要求，急迫需要改变现有电池片的正膜结构，使之层压后膜色发黑，来满足市场需求。

CN211654833U公开了一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，包括电池片，所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折射率氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括下层氮化硅膜、中层氮化硅膜、上层氮化硅膜，其中，氮化硅膜中各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚，各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。虽然其能够使得所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，但是其膜层设计较为复杂。

在本领域中，期望开发一种可以解决现有技术中存在的太阳能电池膜色发蓝的问题并具有简单的膜层设计的电池片。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种电池片及使用其的太阳能电池组件。本实用新型的电池片可以解决现有技术中存在太阳能电池膜色发蓝的问题，使其做出的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑组件的难题。

为达到此实用新型目的，本实用新型采用以下技术方案：

一方面，本实用新型提供一种电池片，所述电池片包括电池片衬底和表面膜结构，所述表面膜结构包括所述电池片衬底的正面依次沉积的高折射率膜、中折射率膜和低折射率膜，所述各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚。

在本实用新型中，在电池片正面依次设置高折射率膜、中折射率膜和低折射率膜，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚，这样的电池片的设计使得其与电池片基体通过匹配性设计，进而优化陷光效果，使其做出的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑组件的难题。

在本实用新型中，所述电池片的基体为硅。

优选地，所述高折射率膜的厚度为16-34nm(例如16nm、18nm、20nm、 23nm、25nm、28nm、30nm、34nm)，中折射率膜的厚度为23-40nm(例如 23nm、25nm、28nm、30nm、34nm、38nm或40nm)，低折射率膜的厚度为 26-52nm(例如26nm、28nm、30nm、35nm、38nm、40nm、45nm、48nm、 50nm或52nm)。

在本实用新型中，如果高折射率膜的厚度低于16nm，则不利于对电池钝化效果，会增加组件的PID风险，如果厚度高于34nm，则高折射率膜的寄生吸收会变大，不利于晶硅对光的有效利用。

优选地，所述高折射率膜、中折射率膜和低折射率膜的总厚度为70-120nm，例如70nm、73nm、75nm、78nm、80nm、85nm、90nm、95nm、99nm、 100nm、110nm或120nm。