[实用新型]集成温度检测二极管的半导体器件、电池系统及用电设备

权利要求书

1.一种集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，包括：

第一元胞区，所述第一元胞区形成充电控制场效应管，所述充电控制场效应管的栅极用于接收控制信号以处于导通状态；以及

第二元胞区，所述第二元胞区形成有温度检测二极管，所述温度检测二极管检测所述半导体器件的当前温度；

其中，所述第一元胞区与所述第二元胞区相邻地设置。

2.根据权利要求1所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区还形成有放电控制场效应管，所述放电控制场效应管的栅极用于接收控制信号以处于导通状态。

3.根据权利要求1或2所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区与所述第二元胞区具有共同的金属基底，所述第二元胞区还形成第一金属电极，所述第一金属电极作为温度检测二极管的阳极，所述金属基底能够作为所述温度检测二极管的阴极。

4.根据权利要求3所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第二元胞区还包括P型硅层以及N型硅层，所述P型硅层临近所述第一金属电极设置，所述N型硅层临近所述金属基底设置。

5.根据权利要求4所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第一金属电极经由两个以上的接触孔与所述P型硅层接触。

6.根据权利要求5所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述接触孔的底部形成有P型重掺杂区。

7.根据权利要求4所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第二元胞区经由至少一个隔离沟槽与第一元胞区进行功能间隔。

8.根据权利要求7所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述隔离沟槽由所述第一金属电极下方的氧化介质层延伸，穿过所述P型硅层并延伸进入N型硅层。

9.根据权利要求8所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述隔离沟槽填充氧化层介质或氧化层-多晶硅介质。

10.根据权利要求8所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第一元胞区还包括P型硅层以及N型硅层，所述第一元胞区与所述第二元胞区共用所述P型硅层以及所述N型硅层；所述金属基底能够作为所述充电控制场效应管的漏极，所述P型硅层的远离所述金属基底的一侧设置有第二金属电极以及第三金属电极，所述第二金属电极能够作为所述充电控制场效应管的源极，所述第三金属电极能够作为所述充电控制场效应管的栅极。

11.根据权利要求10所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第三金属电极经由一个接触孔与经由P型硅层延伸进入N型硅层的第三沟槽接触。

12.根据权利要求11所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第三沟槽填充氧化层介质或氧化层-多晶硅介质。

13.根据权利要求10所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第二金属电极经由四个接触孔与P型硅层接触，其中两个接触孔沿第一方向排列，另两个接触孔沿第二方向排列，第一方向垂直于第二方向，所述四个接触孔的底部均形成有P型重掺杂区，且沿第一方向排列的两个接触孔的侧方均形成N型重掺杂区。

14.根据权利要求13所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第二金属电极下方的各个所述接触孔被第二沟槽间隔开。

15.根据权利要求14所述的集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，所述第二沟槽填充氧化层介质或氧化层-多晶硅介质。