[实用新型]一种半导体异质结构二极管有效

专利信息
申请号: 202122514020.9 申请日: 2021-10-19
公开(公告)号: CN215869345U 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 侯丽新 申请(专利权)人: 吉林农业大学
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/32;H01L23/367;H01L29/861
代理公司: 济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙) 37245 代理人: 张珂娜
地址: 130118 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 结构 二极管
【权利要求书】:

1.一种半导体异质结构二极管,包括上壳体(1)和下壳体(2),其特征在于,所述上壳体(1)的顶部一侧滑动安装有安装盖(3),所述上壳体(1)的内部两侧均设有安装槽(4),所述安装盖(3)的两侧均安装有插杆(5),且所述插杆(5)的两侧均通过转轴连接有限位杆(6),所述安装槽(4)的内壁处在靠近限位杆(6)的两侧均设有卡槽(7),所述限位杆(6)的一侧设有第一弹簧(8),且所述第一弹簧(8)的一端与插杆(5)相互连接,所述插杆(5)的一端设有第二弹簧(10),且所述第二弹簧(10)的一端与安装槽(4)相互连接,所述下壳体(2)的底部等距离设有若干散热孔(12),且所述散热孔(12)与下壳体(2)相互接通。

2.根据权利要求1所述的一种半导体异质结构二极管,其特征在于,所述卡槽(7)在靠近限位杆(6)的一侧安装有凸块(9),且所述凸块(9)为半球形。

3.根据权利要求1所述的一种半导体异质结构二极管,其特征在于,所述插杆(5)与安装槽(4)能相互卡合,所述限位杆(6)与卡槽(7)能相互卡合。

4.根据权利要求1所述的一种半导体异质结构二极管,其特征在于,所述上壳体(1)的内部设有滑槽(11),且所述安装盖(3)滑动安装在滑槽(11)内。

5.根据权利要求1所述的一种半导体异质结构二极管,其特征在于,所述上壳体(1)和下壳体(2)之间设有二极管本体(13),且所述二极管本体(13)的顶部设有芯片槽(14),且所述芯片槽(14)内设有芯片(15)。

6.根据权利要求5所述的一种半导体异质结构二极管,其特征在于,所述二极管本体(13)的一端分别设有第一引脚(16)和第二引脚(17),所述下壳体(2)的一侧中心处设有第三引脚(18)。

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