[实用新型]全桥磁电阻传感器以及双钉扎磁电阻多层膜

说明书

本实用新型提供一种全桥磁电阻传感器及其制造方法以及双钉扎磁电阻多层膜，其中，全桥磁电阻传感器包括第一双钉扎磁电阻多层膜至第四双钉扎磁电阻多层膜，第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连；第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连；第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连；第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连。其中，全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火。与现有技术相比，本实用新型不仅可以实现单芯片全桥功能，而且零点小，退火工艺简单，成本低。

【技术领域】

本实用新型涉及磁传感器技术领域，尤其涉及一种双钉扎磁电阻多层膜以及采用该双钉扎磁电阻多层膜的全桥磁电阻传感器。

【背景技术】

传统的磁电阻传感器，为了实现全桥功能，通常采用两种方法。方法1：使用两颗芯片，其中一颗芯片相对于另一颗芯片旋转180度，通过打线互连，实现全桥功能。方法2：通过激光局域加热，对磁电阻敏感区域的磁矩进行局域编程，实现全桥功能。方法1的缺点是，组装工艺复杂，磁电阻传感器的零点大。方法2的缺点是，退火工艺复杂，成本高。

因此，有必要提出一种技术方案来克服上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的之一在于提供一种全桥磁电阻传感器以及双钉扎磁电阻多层膜，其不仅可以实现单芯片全桥功能，而且零点小，退火工艺简单，成本低。

根据本实用新型的一个方面，本实用新型提供一种双钉扎磁电阻多层膜，其包括依次层叠设置的缓冲层、第一反铁磁层、第一铁磁层、第一夹层、铁磁参考层、间隔层、铁磁自由层、第二夹层、第二铁磁层、第二反铁磁层和覆盖层，所述第一反铁磁层对所述第一铁磁层施加第一交换偏置；所述第一铁磁层通过所述第一夹层对所述铁磁参考层施加第一人工反铁磁耦合；所述第二反铁磁层对所述第二铁磁层施加第二交换偏置；所述第二铁磁层通过所述第二夹层对所述铁磁自由层施加第二人工反铁磁耦合。

根据本实用新型的另一个方面，本实用新型提供一种全桥磁电阻传感器，其包括第一双钉扎磁电阻多层膜、第二双钉扎磁电阻多层膜、第三双钉扎磁电阻多层膜和第四双钉扎磁电阻多层膜，所述第一双钉扎磁电阻多层膜的一端和第二双钉扎磁电阻多层膜的一端与电源端相连；所述第一双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第三双钉扎磁电阻多层膜的一端与第一信号端相连；所述第二双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第四双钉扎磁电阻多层膜的一端与第二信号端相连；所述第三双钉扎磁电阻多层膜的另一端和所述第四双钉扎磁电阻多层膜的另一端与接地端相连，所述全桥磁电阻传感器依次经过第一次退火和第二次退火。所述双钉扎磁电阻多层膜包括依次层叠设置的缓冲层、第一反铁磁层、第一铁磁层、第一夹层、铁磁参考层、间隔层、铁磁自由层、第二夹层、第二铁磁层、第二反铁磁层和覆盖层，所述第一反铁磁层对所述第一铁磁层施加第一交换偏置；所述第一铁磁层通过所述第一夹层对所述铁磁参考层施加第一人工反铁磁耦合；所述第二反铁磁层对所述第二铁磁层施加第二交换偏置；所述第二铁磁层通过所述第二夹层对所述铁磁自由层施加第二人工反铁磁耦合。

与现有技术相比，本实用新型中的全桥磁电阻传感器采用双钉扎磁电阻多层膜，通过两次全局退火，不仅可以实现单芯片全桥功能，而且零点小，退火工艺简单，成本低。

【附图说明】

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：

图1为本实用新型在一个实施例中的全桥磁电阻传感器的双钉扎磁电阻多层膜的结构示意图；

图2为本实用新型在一个实施例中的全桥磁电阻传感器在第一次退火时的结构示意图；