[实用新型]一种电阻炉内部气体环境调节系统有效

专利信息
申请号: 202122533538.7 申请日: 2021-10-20
公开(公告)号: CN216378482U 公开(公告)日: 2022-04-26
发明(设计)人: 王大庆 申请(专利权)人: 成都新源汇博光电科技有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 马腾飞
地址: 610207 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 电阻炉 内部 气体 环境 调节 系统
【说明书】:

实用新型公开了一种电阻炉内部气体环境调节系统;包括储气瓶、流量计、充气阀、截止阀和稳压阀;所述储气瓶依次与流量计和充气阀连接,所述充气阀通过进气管路与炉膛贯通连接,所述截止阀通过出气管路与炉膛贯穿连接,截止阀后端与稳压阀连接;通过本方案可以减少因高温下产生的不利气体导致的炉内挥发影响晶体质量,有效的减少晶体散射缺陷,同时保护炉内温场等部件的使用,延长各部件的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及晶体生长技术领域,尤其是一种电阻炉内部气体环境调节系统。

背景技术

在电阻炉生长晶体时,我们通常的做法是先给装好炉的炉体抽真空,然后再往炉体里充入惰性气体氩和少量的二氧化碳保护炉内的加热器件和温场等部件,使晶体生长在一个相对稳定的环境下生长。

但是在生长过程中炉内抽真空后残留的微量空气在高温下与石墨器件、温场器件和原料(原料主要是氧化物)会产生微量的氧气和其它气体,石墨和氧气在高温下会导致石墨挥发(随着生长时间的加长挥发物会越来越多)并生成少量的一氧化碳和二氧化碳这些都是对晶体生长不利的因数,不但会加速温场部件的损耗,还是晶体生长过程中出现散射缺陷的主要因素。

在多年的晶体生长得出的经验来看,往往生长过程中炉内挥发物多的(石墨器件损耗严重)晶体生长过程中都不太好控制,所得到的晶体绝大多数都是散射比较严重。往往晶体的上段散射比下段严重,能得到没有一点散射都没有的晶体非常少。分析原因主要是晶体生长前期原料(氧化物)在高温下所产生的氧气量相对较多,而到了生长后期氧气量已经逐步消耗减少所以下段的散射更少一些。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,针对上述不足之处提供一种电阻炉内部气体环境调节系统调节,解决了现有技术中晶体生长时杂质气体导致对晶体生长过程中出现散射缺陷的问题。

本方案是这样进行实现的:

一种电阻炉内部气体环境调节系统,包括储气瓶、流量计、充气阀、截止阀和稳压阀;所述储气瓶依次与流量计和充气阀连接,所述充气阀通过进气管路与炉膛贯通连接,所述截止阀通过出气管路与炉膛贯穿连接,截止阀后端与稳压阀连接。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述稳压阀后端设置气体吸收装置。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述气体吸收装置可以为进气管、出气管和储液瓶,所述进气管与稳压阀连接,从稳压阀出来的气体直接通入到气体吸收装置中;所述进气管延伸到储液瓶液面以下,所述出气管设置在液面以上。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述储气瓶为氩气瓶,内部储存气体为氩气。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述进气管路和出气管路分别对称。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述气体吸收装置后设置有收集瓶。

基于上述一种电阻炉内部气体环境调节系统结构,所述炉膛内还可以设置气体扰动装置,气体扰动装置为电动风扇。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:

1、通过本方案可以减少因高温下产生的不利气体导致的炉内挥发影响晶体质量,有效的减少晶体散射缺陷,同时保护炉内温场等部件的使用,延长各部件的使用寿命。

附图说明

图1是本实用新型整体的结构示意图;

图2为气体吸收装置的结构示意图:

图中:1、储气瓶;2、流量计;3、充气阀;4、截止阀;5、稳压阀;61、进气管;62、出气管;63、储液瓶;7、收集瓶;8、炉膛;81、进气管路;82、出气管路。

具体实施方式

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