[实用新型]一种自动清理废气粉尘的反应腔装置有效
申请号: | 202122551273.3 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN216367352U | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | 王继飞;杨春水;张坤;李阳 | 申请(专利权)人: | 安徽京仪自动化装备技术有限公司 |
主分类号: | B01D53/76 | 分类号: | B01D53/76 |
代理公司: | 南京匠桥专利代理有限公司 32568 | 代理人: | 王冰冰 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 清理 废气 粉尘 反应 装置 | ||
本实用新型提供了一种自动清理废气粉尘的反应腔装置,包括反应腔和设于反应腔内的加热棒,所述反应腔的底部设有废气出口和朝向反应腔导入废气的导流管,所述反应腔内设有通过旋转以刮除反应腔内壁粉尘的刮刀机构,所述装置还包括用于冲洗反应腔底部的水冲洗机构,所述反应腔的顶盖上设有用于驱动刮刀机构旋转的驱动机构。通过在反应腔内安装了刮刀机构及水冲洗机构,对反应腔内及导流管上部产生SiO2、P2O5等粉尘进行自动刮除清理,使反应腔内部能长时间保持较大容积,系统负压一直保持在正常范围内,PM周期较之前延长了4~5倍,处理效率大大提高。
技术领域
本实用新型涉及半导体废气处理装置技术领域,尤其涉及一种自动清理废气粉尘的反应腔装置。
背景技术
一般来说,半导体工艺包括多种工艺,例如摄影、扩散、蚀刻、化学气相沉积和金属沉积,上述工艺在硅衬底上反复进行,在这些工艺上,进行扩散,蚀刻和化学沉积以将处理气体供给到密闭工艺室以在晶片上反应。
另一方面,用于半导体制造工艺的气体可具有强烈的特性,例如毒性、燃烧性和腐蚀。制造设备的工艺中,仅仅10%左右的处理气体参与了反应,处于未反应状态的剩余90%从制造设备中排除。排除的气体需要经过燃烧、水洗、吸附等一系列处理。
而利用电加热处理废气的机台,应用在半导体行业Doped Poly制程中,会排出大量的SiH4、PH3等气体,通入到反应腔内与压缩空气反应后,会产生大量粉尘,大量粉尘会附着在反应腔内壁及导流管上部,导致反应腔内积满粉尘,导流管上部堵塞,系统负压降低,制程气体不能沿着导流管进入到反应腔内,增加了宕机的风险,缩短PM周期。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中存在的技术问题。为此,本实用新型提供一种自动清理废气粉尘的反应腔装置,目的是便于除去反应腔内壁产生的粉尘,防止大量粉尘在反应腔内壁堆积。
基于上述目的,本实用新型提供了一种自动清理废气粉尘的反应腔装置,包括反应腔和设于反应腔内的加热棒,所述反应腔的底部设有废气出口和朝向反应腔导入废气的导流管,所述反应腔内设有通过旋转以刮除反应腔内壁粉尘的刮刀机构,所述装置还包括用于冲洗反应腔底部的水冲洗机构,所述反应腔的顶盖上设有用于驱动刮刀机构旋转的驱动机构。
所述刮刀机构包括第一圆环、设于第一圆环内用于插入导流管的第二圆环、设于第一圆环上的第一刮刀组和设于第二圆环上的固定架,所述驱动机构通过固定架与第二圆环连接,所述第二圆环的外侧壁通过连杆与第一圆环的内壁连接,所述第一刮刀组包括两个分别设于第一圆环的直径两端且沿反应腔的高度方向设置的第一刮刀,所述驱动机构通过驱动固定架、第二圆环及第一圆环旋转以使第一刮刀对反应腔内壁进行刮除粉尘。
所述固定架包括连接架和两个分别设于第二圆环的直径两端且沿反应腔的高度方向设置的竖向杆,所述驱动机构与连接架连接,所述连接架的两端分别与两个竖向杆的顶端连接。
所述固定架内设有用于至少刮除导流管上部内壁粉尘的第二刮刀组件。
所述第二刮刀组件包括设于两个竖向杆之间的两个第二刮刀和连接两个第二刮刀底端的连接件,所述两个第二刮刀的顶端均与连接架连接。
所述连杆为两个,连杆的两端分别与第一圆环安装第一刮刀的安装点及第二圆环安装竖向杆的安装点连接,且两个连杆之间的连线等分所述第二圆环。
所述第一刮刀与第二刮刀相平行设置,所述第一圆环与第二圆环为同心圆环。
所述驱动机构包括齿轮齿条摆动气缸,所述齿轮齿条摆动气缸的输出端与固定架连接。
所述水冲洗机构包括冲洗管路,冲洗管路的出水口延伸入反应腔内部底端。
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