[实用新型]半导体电路

权利要求书

1.一种半导体电路，其特征在于，包括驱动芯片、三相模块和温控模块，所述驱动芯片与所述三相模块电连接，所述温控模块包括：

高温控制单元，所述高温控制单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第一热敏电阻，所述第一运算放大器的VCC端、OUT端和GND端均与所述驱动芯片电连接，所述第一电阻的两端分别与所述第一运算放大器的VCC端和OUT端电连接，所述第二电阻的两端分别与所述第一运算放大器的负极端和VCC端电连接，所述第三电阻的两端分别与所述第一运算放大器的负极端和GND端电连接，所述第四电阻的两端分别与所述第一运算放大器的正极端和VCC端电连接，所述第一热敏电阻的两端分别与所述第一运算放大器的正极端和GND端电连接；

低温控制单元，所述低温控制单元包括第二运算放大器、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第二热敏电阻，所述第二运算放大器的VCC端和OUT端均与所述驱动芯片电连接，所述第二运算放大器的GND端与所述第一运算放大器的GND端电连接，所述第五电阻的一端与所述第二运算放大器的OUT端电连接，另一端分别与所述第二运算放大器的VCC端和第一运算放大器的VCC端电连接，所述第六电阻的两端分别与所述第二运算放大器的正极端和GND端电连接，所述第七电阻的两端分别与所述第二运算放大器的正极端和VCC端电连接，所述第八电阻的两端分别与所述第二运算放大器的负极端和VCC端电连接，第二热敏电阻的两端分别与所述第二运算放大器的GND端和负极端电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动芯片上具有与所述第一运算放大器的VCC端电连接的VDD引脚、分别与所述第一运算放大器的OUT端和第二运算放大器的OUT端电连接的FAULT引脚、分别与所述第一运算放大器的OUT端和第二运算放大器的OUT端电连接的EN引脚以及与所述第一运算放大器的GND端电连接的VSS引脚。

3.根据权利要求1所述的半导体电路，其特征在于，所述驱动芯片上还具有PFCOUT引脚，所述半导体电路还包括升压模块，所述升压模块包括功率绝缘栅双极型晶体管、二极管和第九电阻，所述功率绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第九电阻与所述PFCOUT引脚电连接，所述功率绝缘栅双极型晶体管的C极与外部电源正极电连接以及还通过所述二极管与所述三相模块电连接，所述功率绝缘栅双极型晶体管的E极与外部电源负极电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体电路，其特征在于，所述三相模块包括与所述驱动芯片电连接的U相单元、V相单元和W相单元，所述U相单元、V相单元和W相单元还分别与所述二极管的阴极电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述U相单元包括U相上桥臂和U相下桥臂，所述U相上桥臂包括第一绝缘栅双极型晶体管和第一驱动电阻，所述第一绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第一驱动电阻与所述驱动芯片电连接，所述第一绝缘栅双极型晶体管的C极与所述二极管的阴极电连接，所述第一绝缘栅双极型晶体管的E极与所述驱动芯片电连接；所述U相下桥臂包括第二绝缘栅双极型晶体管和第二驱动电阻，所述第二绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第二驱动电阻与所述驱动芯片电连接，所述第二绝缘栅双极型晶体管的C极与第一绝缘栅双极型晶体管的E极电连接。

6.根据权利要求5所述的半导体电路，其特征在于，所述U相单元还包括第一自举电容，所述第一自举电容的两端分别与所述驱动芯片和所述第一绝缘栅双极型晶体管的E极电连接。

7.根据权利要求4所述的半导体电路，其特征在于，所述V相单元包括V相上桥臂和V相下桥臂，所述V相上桥臂包括第三绝缘栅双极型晶体管和第三驱动电阻，所述第三绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第三驱动电阻与所述驱动芯片电连接，所述第三绝缘栅双极型晶体管的C极与所述二极管的阴极电连接，所述第三绝缘栅双极型晶体管的E极与所述驱动芯片电连接；所述V相下桥臂包括第四绝缘栅双极型晶体管和第四驱动电阻，所述第四绝缘栅双极型晶体管的G极通过所述第四驱动电阻与所述驱动芯片电连接，所述第四绝缘栅双极型晶体管的C极与第三绝缘栅双极型晶体管的E极电连接。