[实用新型]一种基于石墨慢化的热中子发生装置

权利要求书

1.一种基于石墨慢化的热中子发生装置，其特征在于，包括：

源容器(1)，所述源容器(1)内嵌在混凝土支撑体(3)中，所述源容器(1)内放置有一枚中子源(2)，所述混凝土支撑体(3)上表面设置一承重钢架(9)；

石墨堆(4)，所述石墨堆(4)位于所述承重钢架(9)上所述源容器(1)的正上方，所述石墨堆(4)的表面覆盖有用于屏蔽中子的含硼聚乙烯层(6)，所述含硼聚乙烯层(6)外覆盖有用于屏蔽γ射线的铅层(7)；在所述石墨堆(4)外围还设置有内层钢架(5)和外层钢架(8)，所述内层钢架(5)位于所述石墨堆(4)和所述含硼聚乙烯层(6)之间；所述外层钢架(8)位于所述铅层(7)的外表面；

在所述石墨堆(4)的一侧方向上开有源出射孔(10)，所述源出射孔(10)自内向外依次贯穿所述内层钢架(5)、含硼聚乙烯层(6)、铅层(7)和外层钢架(8)；所述石墨堆(4)中间开有一条用于所述中子源(2)升降的源升降通道，所述源升降通道贯穿所述石墨堆(4)上下表面，并向上贯穿所述外层钢架(8)，向下延伸进所述源容器(1)内；

源升降机构，所述源升降机构包括升降绳(15)，所述升降绳(15)穿入所述源升降通道内与所述中子源(2)连接；

源控制系统，所述源控制系统控制所述源升降机构将所述中子源(2)沿所述源升降通道提升至所述石墨堆(4)中心执行照射任务，完成照射后将所述中子源(2)降回所述源容器(1)内，处于屏蔽位置。

2.根据权利要求1所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述铅层(7)的厚度为1cm；在紧贴所述石墨堆(4)表面覆盖有厚度为0.2mm的薄铅板。

3.根据权利要求2所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述中子源(2)为10Ci的镅铍同位素。

4.根据权利要求3所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述石墨堆(4)的材质为高纯石墨，其杂质含量小于50ppm。

5.根据权利要求4所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述石墨堆(4)的一侧配有可上下、左右、前后移动的实验台车。

6.根据权利要求1所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述源升降机构还包括伺服电机(11)、减速机(12)、线盒(13)、滑轮(14)以及支架(18)，所述伺服电机(11)经所述减速机(12)减速后连接所述线盒(13)，所述升降绳(15)一端接入所述线盒(13)在其内缠绕，另一端绕过所述滑轮(14)穿入所述源升降通道内连接所述中子源(2)。

7.根据权利要求6所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述源升降机构还包括两个用于顺序控制、定位控制和位置状态检测的光电行程开关(16)。

8.根据权利要求7所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述线盒(13)内设置有防止所述升降绳(15)子缠乱的特殊凹槽。

9.根据权利要求6-8任一项所述的基于石墨慢化的热中子发生装置，特征在于，所述源升降机构还包括激光器(17)，用于中子源(2)升降过程中的定位。