[实用新型]一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚有效
| 申请号： | 202122600151.9 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN216514245U | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张新峰;龙安泽;周彩云;杜陈 | 申请（专利权）人： | 江苏卓远半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 孙腾 |
| 地址： | 226500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 sic 生长 装置 中的 石墨 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，所述石墨坩埚包括石墨坩埚主体；其特征在于，所述石墨坩埚还包括若干石墨封闭环，所有石墨封闭环均放置于石墨坩埚主体内，或与石墨坩埚主体固定连接，共同作为SiC单晶生长装置中的加热元件，所述石墨坩埚主体内所有石墨封闭环以外空间即其他空间；
硅源置于石墨坩埚的其他空间内，由加热元件加热，石墨坩埚主体与封闭环中的碳进入硅溶液中，形成SiC溶液。
2.根据权利要求1所述的一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，其特征在于，所有石墨封闭环与石墨坩埚主体一体成型。
3.根据权利要求1所述的一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨封闭环的高度低于石墨坩埚主体的高度。
4.根据权利要求1所述的一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，其特征在于，所述石墨封闭环的数量大于等于2个，其直径大小不一；所有石墨封闭环互套，其直径从外向内依次递减。
5.根据权利要求4所述的一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，其特征在于，所有石墨封闭环均与石墨坩埚主体同中心轴。
6.根据权利要求1所述的一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，其特征在于，形成的SiC溶液，其液面高度高于石墨封闭环的高度。
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