[实用新型]一种消影透明导电膜有效
申请号: | 202122616277.5 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN217035163U | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 司荣美;汤倩 | 申请(专利权)人: | 天津宝兴威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G02B1/10 |
代理公司: | 天津市新天方专利代理有限责任公司 12104 | 代理人: | 张强 |
地址: | 301800 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 | ||
1.一种消影透明导电膜,其特征在于,包括基板(1)、高折射率层(2)、功能层(3)、低折射率层(4)和透明导电层(5),基板(1)的上表面设置有高折射率层(2),高折射率层(2)的上表面设置有功能层(3),功能层(3)的上表面设置有低折射率层(4),低折射率层(4)的上表面设置有透明导电层(5),透明导电层(5)的上表面设置有阻燃层(6),基板(1)为柔性透明基板,基板(1)的下表面设置有由UV固化型丙烯酸制成的增硬层(7)。
2.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的功能层(3)分为三层,功能层(3)的折射率从低折射率层(4)向高折射率层(2)的方向逐渐增加。
3.根据权利要求2所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的功能层(3)每层的厚度为7~25nm。
4.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的高折射率层(2)为五氧化二铌膜或二氧化钛膜,厚度为5~10nm。
5.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的低折射率层(4)为二氧化硅膜,厚度为30~55nm。
6.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的透明导电层(5)为ITO透明导电膜层,厚度为40~70nm。
7.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的基板(1)为由OCA光学胶层粘结的双层光学级PET聚酯薄膜层,厚度为0.2~1.00mm。
8.根据权利要求1所述的消影透明导电膜,其特征在于,所述的增硬层(7)的厚度为8~15mm。
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