[实用新型]一种带有双面花纹的高透过率光伏玻璃有效
申请号: | 202122617302.1 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN216563150U | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 何嵩磊;杨建新;杨石雷;常用全;王春雨;李国强;李卫红;田馨;郝卫杰;梁红亮;杨志红;齐志雷;杨凤霞 | 申请(专利权)人: | 河南安彩光伏新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/054 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 刘建芳 |
地址: | 455000 河南省安阳市龙安区*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 双面 花纹 透过 率光伏 玻璃 | ||
本实用新型公开了一种带有双面花纹的高透过率光伏玻璃,包括玻璃基体,所述的玻璃基体的顶面设置有行列排布的半椭圆凹面花纹绒面结构,在玻璃基体的底面上设有行列排布的椭圆台体凹面花纹结构,该椭圆台体凹面花纹结构由两个大小不同,形状相同的大、小半椭圆体上下叠加而成,且上表面的大半椭圆体和设置在其底部的小半椭圆体的长轴和短轴方向均保持一致,且小半椭圆体的高小于大半椭圆体的高。本实用新型通过上述结构能更加有效地减少太阳光的反射外,还能使光线在椭圆台体凹面花纹斜面上发生多次反射折射,从而大大减少光线能量的损失,提高光线的透过率。
技术领域
本实用新型涉及光伏玻璃生产技术领域,尤其涉及一种带有双面花纹的高透过率光伏玻璃。
背景技术
目前,太阳能光伏发电作为一种重要的可再生能源, 已慢慢渗透到生活的各种场景中,尤其是随着现代化工业的发展,全球能源危机和大气污染问题日益突出,太阳能作为理想的可再生清洁能源正在受到人们的高度重视,世界各国都在致力于太阳能资源的开发和利用。 太阳能电池利用光伏效应可以将太阳能转化为电能,充分有效地利用了太阳能,因而其应用范围随着光伏产业的发展也日益广阔,市场规模逐步扩大。
作为太阳能电池组件的光伏盖板玻璃,是太阳能电池制造过程中的一种重要原材料,其太阳光透过率的高低,直接影响着太阳能电池的光电转换效率。除了含铁量对玻璃透过率的影响外,玻璃表面的花纹结构也对透过率有重大影响,如果设计不当,那么当太阳光照射到光伏玻璃上时,上面的光可能就有一部分被反射出去,且对周围环境产生较大影响,入射到盖板下的太阳光在反射时不能被很好地折射回来,都会影响到光透过率,进而影响到光能到电能的转换。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种带有双面花纹的高透过率光伏玻璃,能够减少光的反射损失,提高光的透过率。
本实用新型采用的技术方案为:
一种带有双面花纹的高透过率光伏玻璃,包括玻璃基体,所述的玻璃基体的顶面设置有行列排布的半椭圆凹面花纹绒面结构,在玻璃基体的底面上设有行列排布的椭圆台体凹面花纹结构,该椭圆台体凹面花纹结构由两个大小不同,形状相同的大、小半椭圆体上下叠加而成,且上表面的大半椭圆体和设置在其底部的小半椭圆体的长轴和短轴方向均保持一致,且小半椭圆体的高小于大半椭圆体的高。
所述玻璃基体的厚度为2~5mm。
所述顶面半椭圆凹面花纹绒面结构的粗糙度为0.3~2.0μm。
所述的半椭圆凹面花纹绒面结构的长轴为0.3~0.6mm,短轴0.15~0.3mm,高为0.02~0.1mm。
所述的大半椭圆体的长轴为0.6~1.2mm,短轴为0.3~0.6mm,高为0.03~0.27mm;小半椭圆体的长轴为0.3~0.6mm,短轴为0.15~0.3mm,高为0.02~0.2mm。
所述的半椭圆凹面花纹绒面结构的行列排布中,纵向间距0.5~1.3mm,横向间距0.5~1.3mm。
所述玻璃基体底面上椭圆台体凹面花纹结构的行列排布中纵向间距0.5~1.3mm,横向间距0.5~1.3mm。
本实用新型通过在玻璃基体上两面分别设置半椭圆凹面花纹绒面结构和椭圆台体凹面花纹结构,从而可以减少太阳光的反射,又能使射入后又反射的光被折射回来,且还能使太阳光线在花纹表面之间发生二次、三次甚至更多次反射折射,降低光线的反射损失,提高光线的透过率,从而能转变为更多的电能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的