[实用新型]一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿有效
申请号: | 202122633750.0 | 申请日: | 2021-10-31 |
公开(公告)号: | CN216902846U | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 杨俊华;周健 | 申请(专利权)人: | 江苏铭百圣耐火有限公司;宜兴市泰合源陶瓷有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 无锡市天宇知识产权代理事务所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 高坤明 |
地址: | 214226 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 体式 氧化锆 花篮 | ||
本实用新型公开了一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿,涉及半导体硅片晶圆承载花篮技术领域,为解决现有晶圆花篮一般为一体式,无法根据晶圆的数量调整花篮的大小,花篮内晶圆较少时,会占用大量不必要的空间,导致空间利用率较低的问题。所述前篮设置有两个,且两个前篮垂直对称分布,两个所述前篮的后方设置均有中篮,所述中篮的后方设置有尾篮,所述前篮的下方后端与中篮的下方后端均设置有主卡块,所述前篮的两侧后端与中篮的两侧后端均设置有副卡块,所述中篮的下方前端与尾篮的下方前端均设置有主槽块,所述中篮的两侧前端与尾篮的两侧前端均设置有副槽块。
技术领域
本实用新型涉及半导体硅片晶圆承载花篮技术领域,具体为一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿。
背景技术
用于制作硅半导体电路所用的硅晶片一般被称为晶圆,是通过高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,形成圆柱形的单晶硅,在经过研磨、抛光、切片等操作后,被加工成圆形的硅晶片,再通过一系列的加工,使硅晶片上形成集成电路,经过切割后成为芯片,晶圆被广泛应用于集成电路的制造,再晶圆的制造过程中,会对晶圆进行清洗、存放、周转或运输等操作,晶圆花篮即是对晶圆进行这些操作时使用的承载设备,一般为PTFE等塑料材质,具有耐腐蚀,长期使用不变形、不污染硅片等特点。
但是,现有晶圆花篮一般为一体式,无法根据晶圆的数量调整花篮的大小,花篮内晶圆较少时,会占用大量不必要的空间,导致空间利用率较低;因此,不满足现有的需求,对此我们提出了一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿,以解决上述背景技术中提出的现有晶圆花篮一般为一体式,无法根据晶圆的数量调整花篮的大小,花篮内晶圆较少时,会占用大量不必要的空间,导致空间利用率较低的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种分体式氧化锆圆晶花篮顶齿,包括前篮,所述前篮设置有两个,且两个前篮垂直对称分布,两个所述前篮的后方设置均有中篮,所述中篮的后方设置有尾篮,所述前篮的下方后端与中篮的下方后端均设置有主卡块,所述前篮的两侧后端与中篮的两侧后端均设置有副卡块,所述中篮的下方前端与尾篮的下方前端均设置有主槽块,所述中篮的两侧前端与尾篮的两侧前端均设置有副槽块。
优选的,所述主卡块的下方中部设置有两个轴座,所述两个轴座之间设置有支板,且支板与轴座轴连接,所述支板的后端下方设置有扣卡,所述支板的后端上方设置有板卡,所述板卡上设置有卡销。
优选的,所述主槽块的后端内部设置有卡槽,所述卡槽的内部设置有销槽。
优选的,所述主卡块的后端、前篮与中篮的一侧后端、副卡块的后端分别设置有三个、一个、两个连接棒。
优选的,所述主槽块的前端内部、中篮与尾篮的一侧前端内部、副槽块的前端内部分别设置有三个、一个、两个棒槽。
优选的,所述前篮、中篮、尾篮的内侧均设置有十个分隔卡,两个所述前篮之间前端设置有横梁,两个所述尾篮之间后端设置有后端面,前篮的上方前端两侧、尾篮的上方后端两侧均设置有定位孔。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过将花篮分为前篮、中篮与尾篮,并且在三者上设置主槽块与主卡块,主槽块上设置棒槽,主卡块上设置连接棒,可将连接棒插入主槽块内连接三者,可通过调整中篮的数量调整花篮的大小,以便根据需要放置的晶圆数量调整其大小,避免现有晶圆花篮一般为一体式,无法根据晶圆的数量调整花篮的大小,花篮内晶圆较少时,会占用大量不必要的空间,导致空间利用率较低的问题发生。
2、通过在主卡块上设置可转动的支板,支板上设置有板卡,并且在主卡块上设置卡槽,在连接棒插入棒槽内合紧后,可将板卡扣入卡槽内,将连接棒固定在棒槽内,避免花篮散开,在支板上设置扣卡以需要拆卸时手动将板卡扣出,在板卡上设置卡销,卡槽内设置销槽,可在板卡扣入卡槽内后卡销卡入销槽内,避免板卡从卡槽内脱出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造