[实用新型]一种防反接防过压的高效率二极管模块

权利要求书

1.一种防反接防过压的高效率二极管模块，其特征在于包括控制芯片A1、电感L1、L2、稳压管D1、D2、D3、电阻R1、电容C1、C2、C3以及MOS管Q1；所述控制芯片A1型号为LTC4359，控制芯片A1的1脚与MOS管Q1的栅极连接，稳压管D3跨接在控制芯片A1的1脚和2脚之间，阳极接2脚，阴极接1脚；控制芯片A1的2脚与MOS管Q1的源极相连；控制芯片A1的4脚与电感L1的右端相连，电感L1的左端、稳压管D1的阴极以及电路的输入相互连接在一起，电容C1一端与输入端相连，另一端接地；稳压管D1的阳极与稳压管D2的阴极相接，稳压管D2的阴极与电阻R1的一端相连后接地，电阻R1的另一端与控制芯片A1的6脚相连；控制芯片A1的8脚、电感L2的左端以及MOS管Q1的漏极三者相连，电感L2的右端、电容C3的一端以及输出端三者相连，电容C3的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种防反接防过压的高效率二极管模块，其特征在于所述的MOS管Q1的型号为IRFS4310ZPBF。

3.根据权利要求1所述的一种防反接防过压的高效率二极管模块，其特征在于所述的稳压管为TVS管。