[实用新型]硅三维沟槽电极探测器

权利要求书

1.硅三维沟槽电极探测器，其特征在于，包括横截面为六边形的二氧化硅保护层(5)，所述二氧化硅保护层(5)上依次设有硅基体和外围电极(3)，所述外围电极(3)为中空的直六棱柱状，所述硅基体包括基体部分(6)和嵌套部分(4)，所述基体部分(6)设在二氧化硅保护层(5)与外围电极(3)之间，其横截面尺寸、外围电极(3)的横截面尺寸均与二氧化硅保护层(5)的横截面尺寸一致，所述嵌套部分(4)的一半横截面与外围电极(3)的横截面一致，另一半横截面为腰圆形的一半，内嵌在外围电极(3)内；

所述外围电极(3)内的二氧化硅保护层(5)上设有中心电极(2)，所述外围电极(3)与中心电极(2)中间、外围电极(3)与嵌套部分(4)之间均填充有隔离硅体(1)，所述隔离硅体(1)、中心电极(2)和外围电极(3)的高度一致；

所述中心电极(2)、外围电极(3)顶部均设有铝层(7)，两个所述铝层(7)上均设有电极接触端口，所述隔离硅体(1)顶部设有二氧化硅保护层(5)。

2.根据权利要求1所述的硅三维沟槽电极探测器，其特征在于，所述隔离硅体(1)、中心电极(2)、外围电极(3)的高度均为300μm，所述基体部分(6)的高度为10μm，所述嵌套部分(4)的高度为20μm，所述铝层(7)和二氧化硅保护层(5)的厚度均为1μm；

所述外围电极(3)和中心电极(2)的厚度均为10μm，所述中心电极(2)横截面的长度为117μm，所述隔离硅体(1)的厚度为50μm。