[实用新型]一种48V直流高压锅有效
申请号: | 202122706612.0 | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN216962130U | 公开(公告)日: | 2022-07-15 |
发明(设计)人: | 宋增荣 | 申请(专利权)人: | 深圳市携电行智能有限公司 |
主分类号: | A47J27/08 | 分类号: | A47J27/08;A47J27/09 |
代理公司: | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人: | 陈列生;覃业军 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 48 直流 高压锅 | ||
1.一种48V直流高压锅,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)的侧壁设置有48V电源插座(2),所述48V电源插座(2)通过专用电缆与48V外部储能电源(3)连接,所述48V电源插座(2)的一侧设置有控制电路板(4),所述控制电路板(4)上设置有DC-DC转换电路、MOSFET(401)和中间继电器(402),所述控制电路板(4)的上方并且位于底座(1)的端面设置有隔热层(5),所述隔热层(5)的底部中心设置有温度传感器(6),机械压力开关(13),所述隔热层(5)的内部设置有发热盘(7),所述发热盘(7)的上方并且位于隔热层(5)的内部设置有锅体(8),所述隔热层(5)的外壁并且位于底座(1)的上方套接有桶体(9),所述桶体(9)的侧壁设置有显示面板(10),所述桶体(9)的端面设置有连接环(11),所述连接环(11)的上方设置有锅盖(12)。
2.根据权利要求1所述的一种48V直流高压锅,其特征在于:所述MOSFET(401)为金属-氧化物半导体场效应晶体管,所述MOSFET(401)采用两个同规格并联设置在控制电路板(4)中。
3.根据权利要求2所述的一种48V直流高压锅,其特征在于:所述48V电源插座(2)分别通过导线连接控制电路板(4)的输入端。
4.根据权利要求3所述的一种48V直流高压锅,其特征在于:所述控制电路板(4)通过导线分别连接温度传感器(6)、机械压力开关(13)和显示面板(10)并且连接方式均为电性连接。
5.根据权利要求4所述的一种48V直流高压锅,其特征在于:所述发热盘(7)通过导线连接机械压力开关(13)并且连接方式电性连接。
6.根据权利要求5所述的一种48V直流高压锅,其特征在于:所述机械压力开关(13)的输出端通过导线连接电压转换电路及48V电源插座(2)并且连接方式为电性连接。
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